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商品型号 4N80L-TN3-R-VB 商品编号 C20755639 商品封装 TO-252 包装方式 编带 商品毛重 0.38克(g) 数据手册 商品参数 资料纠错查看类似商品 属性参数值 商品目录 场效应管(MOSFET) 类型 1个N沟道 漏源电压(Vdss) 800V 属性参数值 连续漏极电流(Id) 2.8A 导通电阻(RDS(on)) 2.38Ω@10V ...
功率MOSFET TO-252 4A 800V 50W 3Ω 5V N-Channel 图像仅供参考 请参阅产品规格图片丝印不一定为本产品 对比 推荐 制造商编号 4N80L-TN3-R 制造商 UTC(友顺) 唯样编号 A-4N80L-TN3-R 供货 自营 无铅情况/RoHs 无铅/符合RoHs 描述 TO-252 4A 800V 50W 3Ω 5V N-Channel 分享: 数据手册...
发货地 广东东莞 商品类型 电子元器件 、 集成电路(IC) 、 其他集成电路 商品关键词 4N80L-TN3-R、 UTC友顺、 TO-252-2DPAK 商品图片 商品参数 品牌: UTC友顺 封装: TO-252-2DPAK 批号: 21+ 数量: 2500 RoHS: 是 产品种类: 电子元器件 最小工作温度: -30C 最大工作温度: 90C 最小...
发货地 广东东莞 商品类型 电子元器件 、 晶体管 、 场效应管(MOSFET) 商品关键词 UTC、 友顺、 4N80L、 TN3、 R、 MOS管、 场效应管、 晶体管 商品图片 商品参数 品牌: UTC(友顺) 漏源电压(Vdss): 800V 连续漏极电流(Id): 4A 功率(Pd): 50W 导通电阻: 3Ω@10V,2A 阈值电压(Vgs(th...
4N80L-TN3-R-VB 是一款单 N 沟道 MOSFET,采用 TO252 封装,具有高电压承受能力和稳定的性能特征,适用于需要高压和低功耗的应用场合。 ### 详细参数说明 - **型号**: 4N80L-TN3-R-VB - **封装**: TO252 - **配置**: 单 N 沟道 - **最大漏源电压 (VDS)**: 800V ...
在淘宝,您不仅能发现4N80L-TN3-R 场效应管(MOSFET) 1个N沟道 耐压:800V 电流:4A TO-2的丰富产品线和促销详情,还能参考其他购买者的真实评价,这些都将助您做出明智的购买决定。想要探索更多关于4N80L-TN3-R 场效应管(MOSFET) 1个N沟道 耐压:800V 电流:4A TO-2的信息,请来
型号 4N80L-TN3-R 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能随着购买数量不同或所选规格不同而发生变化,如用户与商家线下达成协议,以线下协议的结算价格为准,如用户在爱采购上完成线上购买,则最终以订单结算页价格为准。 抢购价:商品参与营销活动的活动价格...
4N80L-TN3-R 功率MOSFET TO-252 4A 800V 50W 3Ω 5V N-Channel 图像仅供参考 请参阅产品规格 图片丝印不一定为本产品 对比推荐 制造商编号4N80L-TN3-R 制造商UTC(友顺) 唯样编号A3-4N80L-TN3-R 供货严选 无铅情况/RoHs无铅/符合RoHs 描述