4N60场效应管是一款N沟道增强型高压功率MOSFET,适用于高压、高速功率开关应用。以下是它的主要参数: 漏源电压:600V 漏极电流:4A 栅源电压:±30V 栅极阈值电压:2.0V 导通电阻:2.3Ω(在VGS=10V时) 雪崩能量:180mJ 耗散功率:93W(TO-220封装) 热电阻:62.5℃/W 输入电容:500pF 输出电容:45pF 上升时间:32ns 这款场效应管具有低栅极电荷、快速切换能力和高坚固性,适合用于...
4N60场效应管是一种高性能的功率开关管,具有优异的电气性能和可靠性。其主要参数如下: 1. 电源电压(VDS):600V。这是场效应管能够承受的最大电源电压,实际应用中应确保不超过此值,以防止管子损坏。 2. 漏极电流(ID):最大值为4A。在正常工作状态下,通过场效应管的电流不应...
型号:4N60 品牌:ASEMI 封装:TO-220 最大漏源电流:4A 漏源击穿电压:600V RDS(ON)Max:2.5Ω 引脚数量:3 沟道类型:N沟道MOS管 芯片尺寸:MIL 漏电流: 恢复时间:5ns 芯片材质: 封装尺寸:如图 特性:高压MOS管、N沟道MOS管 工作结温:-55℃~150℃ 4N60场效应管 4N60的电性参数:最大漏源电流4A;漏源击穿电压...
场效应管4n60c参数型号为4N60C的场效应管参数如下: 耗散功率(PD):在管壳温度(Tc)=25℃时为100W。 漏极电流(ID):在管壳温度(Tc)=25℃时为4A。 漏极和源极电压(VDSS):为600V。 漏极和源极通态电阻(RDS(on)):为2.5Ω。©2022 Baidu |由 百度智能云 提供计算服务 | 使用百度前必读 | 文库协议 |...
40N60和4N60场效应管都具备三个基本的引脚:栅极(G)、漏极(D)和源极(S)。这三个引脚在场效应管的工作过程中起到至关重要的作用。 1. 栅极(G):作为场效应管的控制端,通过改变栅极与源极之间的电压差,可以控制场效应管的导...
4n60场效应管参数引脚图 KIA4N60H N沟道增强型硅栅极功率MOSFET专为高压、高速功率开关应用而设计,如开关稳压器、开关转换器、螺线管、电机驱动器、继电器驱动器。 KIA4N60H场效应管漏源电压600V,漏极电流4A,RDS(ON)=2.3Ω@VGS=10V;具备低栅极电荷(典型值为13.5nC)最小化开关损耗,高坚固性,快速切换能力,指定雪...
三极管4N60为场效应管，额定工作电流4A,最大耐压值为600V。可以用SO813 （FQPF）6N60替换。
场效应MOS管SVF4N60F参数产品简介 PD最大耗散功率:55WID最大漏源电流:2.8AV(BR)DSS漏源击穿电压:600VRDS(ON)Ω内阻:2.7ΩVRDS(ON)ld通态电流:1.4AVRDS(ON)栅极电压:2VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μAGfs(min)S跨导:SGfs(min)VDS漏源电压:VGfs(min)lo通态电流:A产品详情 SVF...
场效应MOS管FDD4N60NZ参数PD最大耗散功率:114WID最大漏源电流:34AV(BR)DSS漏源击穿电压:600VRDS(ON)Ω内阻:2.5ΩVRDS(ON)ld通态电流:1.7AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:3~5VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA立即咨询 FDD4N60NZ是一种广泛应用的N沟道功率MOSFET晶体管,其具有高效能和可靠性的...