全新进口 NTMFS4C10NT1G 丝印:4C10N 30V 46A 场效应管 实图拍摄 NTMFS4C10NT1G 10000 其他 DFN-8 1 ￥2.3000元>=1 个 深圳市福田区源信达电子商行 4年 -- 立即询价 查看电话 QQ联系 NTTFS4C10NTAG-01 ON WDFN-8LTI/德州仪器 集成电路、处理器 16位 NTTFS4C10NTAG-01 ...
型号 NVTFS4C10N 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能随着购买数量不同或所选规格不同而发生变化,如用户与商家线下达成协议,以线下协议的结算价格为准,如用户在爱采购上完成线上购买,则最终以订单结算页价格为准。 抢购价:商品参与营销活动的活动价格,...
MM74C10N 规格参数 生命周期:Obsolete零件包装代码:DIP 包装说明:PLASTIC, DIP-14针数:14 Reach Compliance Code:unknownHTS代码:8542.39.00.01 风险等级:5.82Is Samacsys:N 系列:CMOSJESD-30 代码:R-PDIP-T14 长度:19.18 mm逻辑集成电路类型:NAND GATE ...
描述 NVTFS4C10N 是一款采用DFN3X3-8L封装的高性能N沟道MOS管,专为高集成度和紧凑空间应用设计。该器件支持30V的VDSS电压,具备高达80A的连续漏极电流ID能力,确保在高电流工况下稳定运行。其导通电阻RD(on)低至4.7mΩ,有助于降低系统功耗,提升电源效率。NVTFS4C10N MOS管广泛应用在电源转换、电机驱动等高功率场景...
商品参数 品牌: ON/安森美 批号: 21+ 数量: 5031 制造商: ON Semiconductor 产品种类: MOSFET RoHS: 是 安装风格: SMD/SMT 封装/ 箱体: WDFN-8 晶体管极性: N-Channel Vds-漏源极击穿电压: 30 V Id-连续漏极电流: 44 A Rds On-漏源导通电阻: 7.4 mOhms 系列: NTTFS4C10N 单...
发货地 广东深圳 商品类型 电子元器件 、 晶体管 、 场效应管(MOSFET) 商品关键词 NTTFS4C10NTAG、 ON、 安森美、 WDFN83、 3x3、 3 商品图片 商品参数 品牌: ON/安森美 封装: WDFN83.3x3.3 批号: 21+ 数量: 50000 制造商: onsemi FET 类型: N 通道 漏源电压(Vdss): 30 V Vgs(最大值...
NVTFS4C10NWFTAG 场效应管 ON/安森美 价格 ￥0.80 ￥0.78 ￥0.74 起订量 100个起批 500个起批 1000个起批 货源所属商家已经过真实性核验 发货地 广东省 深圳市 所属类目 电子元器件;晶体管;其他晶体管 产品标签 NVTFS4C10NWFTAG;ON/安森美 获取底价 查看电话 在线咨询 深圳市庆隆伟业科技有限公司 2...
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1、NVTFS4C10NWFTAG 单 N 沟道,功率 MOSFET,30V,47A,7.4mΩ FET 类型:N 通道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):15.3A(Ta),47A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同Id、Vgs 时导通电阻(最大值):7.4 毫欧 @ 30A,10V ...
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