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MEMORY存储芯片MT48LC8M16A2P-7EIT中文规格书 32Gb, 64Gb, 128Gb, 256Gb Asynchronous/Synchronous NAND Synchronous Interface Timing Diagrams
散装芯片: 编带 SOJ: 装管 MT48LC8M16A2P-6A:L 丝印48LC8M16A2 DRAM SDRAM存储芯片 128M 8MX16 价格说明 价格:商品在平台的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能随着购买数量不同或所选规格不同而发生变化,如用户与商家线下达成协议,以线下协议的结算价格为准。 ...
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MEMORY存储芯片MT48LC8M16A2TG-75中文规格书 Table 39: DDR3L 34 Ohm Driver I OH /I OL Characteristics: V DD = V DDQ = DDR3L@1.283 DDR3L 34 Ohm Output Driver Sensitivity If either the temperature or the voltage changes after ZQ calibration, then the tolerance limits listed in ...
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MEMORY存储芯片MT48LC8M16A2P-75IT中文规格书 Write Leveling For better signal integrity, DDR4 memory modules use fly-by topology for the com-mands, addresses, control signals, and clocks. Fly-by topology has benefits from the re-duced number of stubs and their length, but it also causes ...