型号 NGTB40N120FL2WG 批号 23+ 封装 TO-247-3 包装 管装 最小包装量 30 数量 6854 安装风格 Through Hole 集电极—发射极最大电压 VCEO 1.2 kV 在25 C的连续集电极电流 80 A Pd-功率耗散 535 W 栅极—射极漏泄电流 200 nA 单位重量 6.500 g 品牌 ON 最大工作电压 - 20 V, +...
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此外,不同型号的场效应管可能有其特定的测量方法和参数要求,建议在实际测量前查阅相关产品的技术手册或规格书以获取更准确的测量方法和参数值。 关于40n120fl2管子的具体技术参数,由于我无法直接访问实时数据库或产品手册,无法给出确切的参数值。但通常,场效应管的关键技术参数可能包括漏极电流(Id)、漏源击穿电压(Vd...
NGTB40N120FL2WG中文参数 最大连续集电极电流80 A开关速度1MHz 最大集电极-发射极电压1200 V晶体管配置单 最大栅极发射极电压±20V长度16.25mm 最大功率耗散535 W宽度5.3mm 封装类型TO-247高度21.4mm 安装类型通孔尺寸16.25 x 5.3 x 21.4mm 通道类型N最高工作温度+175 °C ...
40N120IHL 162Kb/8PIGBT September, 2012 ??Rev. 0 More results 类似说明 - 40N120FL2 制造商部件名数据表功能描述 ON SemiconductorNGTB40N60FL2WG 145Kb/10PIGBT - Field Stop II September, 2016 ??Rev. 2 NGTB50N60FL2WG 242Kb/11PIGBT - Field Stop II ...
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NGTB40N120FL2WG 场效应管 ON/安森美 封装原厂原封 批次23+ NGTB40N120FL2WG 50000 ON/安森美 原厂原封 23+ ￥0.7400元1~9 个 ￥0.6400元10~99 个 ￥0.5400元>=100 个 深圳市金百纳电子有限公司 6年 查看下载 立即询价 查看电话 QQ联系 ON/安森美 IGBT管/模块 NGTB40N120FL2WG TO-247 21+ ...
ON SEMICONDUCTOR NGTB40N120FL2WG 单晶体管, IGBT, 80 A, 2 V, 535 W, 1.2 kV, TO-247, 3 引脚查看详情 TO-247-3 18周 在产 2012年 ¥32.887 数据手册(15) 器件3D模型 规格参数 代替型号 (1) 反馈错误 by FindIC.com NGTB40N120FL2WG 全球供应商 ...
40n120可以用40t1202代换 40N120参数：40A,1200V 集电极—发射极最大电压 VCEO: 1200 V 栅极/发射极最大电压: +/- 25 V 安装风格: Through Hole 封装 / 箱体: TO-247AB-3 最大工作温度: + 150 C 集电极最大连续电流 Ic: 64 A 最小工作温度: - 55 C 系列: FGH40N120ANTU 单位重量:...
部件名NGTB40N120FL2WG 下载NGTB40N120FL2WG下载 文件大小151.57 Kbytes 页10 Pages 制造商ONSEMI [ON Semiconductor] 网页http://www.onsemi.com 标志 功能描述IGBT-FieldStopII 类似零件编号 - NGTB40N120FL2WG 制造商部件名数据表功能描述 ON SemiconductorNGTB40N120FL2WG ...