ゲート-ソース間電圧 VGSS +/-30 V ドレイン電流 ID 17.3 A 許容損失 PD 45 W 電気的特性 項目記号測定条件値単位 ゲートしきい値電圧 (Max) Vth - 3.5 V ゲートしきい値電圧 (Min) Vth - 2.5 V ドレイン-ソース間オン抵抗 (Max) RDS(ON) |VGS|=10V 200 mΩ 入力容量 (Typ.)...
入力容量 (Q1/Q2) (Typ.)Ciss-55pF ゲート入力電荷量 (Q1/Q2) (Typ.)QgVGS=4.5V1.0nC ドキュメント すべて選択 チェックボックスが無効化されているドキュメントは、一括ダウンロードの対象外です。 すべて(11) データシート(2) ...
ゲート-ソース間電圧 VGSS +/-30 V ドレイン電流 ID 17.3 A 許容損失 PD 165 W 電気的特性 項目記号測定条件値単位 ゲートしきい値電圧 (Max) Vth - 3.5 V ゲートしきい値電圧 (Min) Vth - 2.5 V ドレイン-ソース間オン抵抗 (Max) RDS(ON) |VGS|=10V 200 mΩ 入力容量 (Typ.)...
ゲート-ソース間電圧 VGSS +/-20 V ドレイン電流 ID 13 A 許容損失 PD 39 W 電気的特性 項目記号測定条件値単位 ゲートしきい値電圧 (Max) Vth - 4.0 V ゲートしきい値電圧 (Min) Vth - 2.0 V ドレイン-ソース間オン抵抗 (Max) RDS(ON) |VGS|=10V 114 mΩ 入力容量 (Typ.) ...
400V - 900V MOSFET、 N-ch MOSFET, 200 V, 0.029 Ω@10V, SOP Advance, U-MOSⅧ-H|データシートのダウンロード、製品概要を確認することができます。
ゲートしきい値電圧 (Min) Vth - -2.0 V ドレイン-ソース間オン抵抗 (Max) RDS(ON) |VGS|=10V 1.8 mΩ ドレイン-ソース間オン抵抗 (Max) RDS(ON) |VGS|=6V 2.6 mΩ 入力容量 (Typ.) Ciss - 12800 pF ゲート入力電荷量 (Typ.) Qg VGS=-10V 460 nC 逆回復時間 (Typ.) tr...
ゲート-ソース間電圧 VGSS +/-30 V ドレイン電流 ID 2.0 A 許容損失 PD 60 W 電気的特性 項目記号測定条件値単位 ゲートしきい値電圧 (Max) Vth - 4.4 V ゲートしきい値電圧 (Min) Vth - 2.4 V ドレイン-ソース間オン抵抗 (Max) RDS(ON) |VGS|=10V 4.3 Ω 入力容量 (Typ.) Ci...
入力容量 (Typ.)Ciss-700pF ゲート入力電荷量 (Typ.)QgVGS=10V20nC 逆回復時間 (Typ.)trr-200ns 逆回復電荷量 (Typ.)Qrr-2200nC ドキュメント すべて選択 チェックボックスが無効化されているドキュメントは、一括ダウンロードの対象外です。
ゲート-ソース間電圧 VGSS +/-30 V ドレイン電流 ID 17.3 A 許容損失 PD 165 W 電気的特性 項目記号測定条件値単位 ゲートしきい値電圧 (Max) Vth - 3.5 V ゲートしきい値電圧 (Min) Vth - 2.5 V ドレイン-ソース間オン抵抗 (Max) RDS(ON) |VGS|=10V 200 mΩ 入力容量 (Typ.)...
入力容量 (Typ.)Ciss-460pF ゲート入力電荷量 (Typ.)QgVGS=10V7.0nC ご購入・サンプル請求のご案内 お取引のある販売店、または、当社特約店、オンラインディストリビューターまでご相談下さい。 特約店&オンラインディストリビューター ...