三星256GB RDIMM内存采用3DS 三维堆叠封装，基于10nm 16Gb DDR4 DRAM，并且由通过 TSV 接口（穿硅通孔）彼此连接的四层晶体管组成，在这种情况下，单芯片的容量为 8 GB（64 Gbits）每层16Gbit，可将内存的最大容量提高一倍。256GB RDIMM 双面共建入36 颗芯片，每颗芯片提供 8GB 容量，
美光32Gb单裸片大容量RDIMM内存 | 近日Micron Technology宣布推出基于32Gb单裸片的128GB DDR5 RDIMM内存,具有高达8,000 MT/s速率的一流性能[[1]],可支持当前及未来的数据中心工作负载.该款大容量、高速率内存模块特别针对数据中心和云环境中广泛的任务关键型应用,例如人工智能(AI)、内存数据库(IMDB)以及需要对多线...
最近,三星对一种用于3D堆叠(3DS)内存的MR MUF工艺进行了测试,发现相比于TC NCF技术,虽然吞吐量有所提升,但物理特性有一定程度的恶化。经过测试,三星得出结论称,MUF技术不适用于高带宽内存(HBM),但非常适合3DS RDIMM。目前,3DS RDIMM主要用于服务器,采用硅通孔(TSV)技术制造。 和讯自选股写手 风险提示:以上内容仅...
【三星考虑将MUF技术应用于服务器DRAM内存】三星正在考虑在其下一代DRAM中应用模压填充(MUF)技术。三星最近测试了一种用于3D堆栈(3DS)内存的MR MUF工艺,与TC NCF相其吞吐量有所提升,但物理特性却出现了一定恶化。经过测试,该公司得出结论,MUF不适用于高带宽内存(HB
#超微主板微X11SPW-CTF主板支持以下主要特性和功能: CPU支持:支持2nd Gen Intel® Xeon® Scalable Processors和Intel® Xeon® Scalable Processors, 单Socket LGA-3647 (Socket P),CPU TDP支持Up to 205W TDP。内存支持:Up to 1.5TB 3DS ECC RDIMM, DDR4-2933MHz;Up to 1.5TB 3DS ECC LRDIMM, DDR...
M393AAK40B41-CRB 四代双倍数据率同步动态随机存储器 RDIMM 128GB 8R x 4 2133 Mbps 1.2 V (4H 3DS 8G x 4) x 36
内存描述:4根*32GB DDR4 2933MHz RDIMM ECC 内存 硬盘容量:1TB PCIe NVMe M.2 固态硬盘+4TB 7.2K RPM SATA 6Gbps 3.5英寸有线硬盘 显卡芯片:NVIDIA GeForce RTX 3080,10GB,GDDR6X,320W,(HDMI 接口、3 个 DisplayPort 接口) 电源类型:950W,效率高达 90%(80PLUS 金牌认证),可从外 部拆装 / 上锁 ...
M393A8K40B21-CRB 四代双倍数据率同步动态随机存储器 RDIMM 64GB 4R x 4 2133 Mbps 1.2 V (2H 3DS 8G x 4) x 36
M393A8K40B2B-CTC 四代双倍数据率同步动态随机存储器 RDIMM 64GB 4R x 4 2400 Mbps 1.2 V (2H 3DS 8G x 4) x 36