3DG120B 60 45 3DG120C 40 30 3DG120D 60 45 aPtot1为TA=25℃,不加散热片时的最大额定功率;TA>25℃时,按照3.33mW/℃线性地降额. bPtot2为TC=25℃时的最大额定功率;TC>25℃时,按13.3mW/℃线性地降额. 电特性 参 数 数值 单位 符号 测试条件 最小值 典型值 最大值 VCBO IC=0.1
某三极管的型号“ 3DG120”,其中字母” D”表示 ,“ G”表示。 相关知识点: 试题来源: 解析D表示NPN型硅材料,G表示高频小功率管根据中国国家标准GB/T 249-1989半导体器件型号命名规则:1. 第一部分数字"3":三极管2. 第二部分字母"D":表示材料和极性 ...
型号1 3DG120 型号2 3DG121 型号3 3DG122 可售卖地 全国 西安艾派森电子科技有限公司是一家集电子元器件研制、开发、生产为一体的高新技术企业。企业秉承“严谨求是”的科学态度和“科技创新”的理念,以“质量第一、诚信共赢”的发展思路竭诚为客户服务。 公司的常储库房有大量现货,用来解决广大用户因半导体...
发货地 陕西西安 商品类型 电子元器件 、 集成电路(IC) 、 接口/驱动器 商品关键词 3DG120、 国正、 A3-02B 商品图片 商品参数 品牌: 国正 封装: A3-02B 批号: 21+ 数量: 553 RoHS: 是 产品种类: 电子元器件 最小工作温度: -20C 最大工作温度: 125C 最小电源电压: 1.5V 最大电源...
型号:3DG120C 3DG120D 截止频率fT:200(MHz) 品牌:国产 封装材料:金属封装 属性:属性值 厂家批发各种型号二、
3DG120型NPN硅外延平面高频小功率三极管 标准编号:SJ 789-74 标准状态:现行标准价格:15.0 元 客户评分:立即购买工即可享受本标准状态变更提醒服务!如何购买?问客服 标准简介英文名称: Detail specification for silicon NPN epitaxial planar high frequency low power transistors,Type 3DG120 ...
3DG120来源:-- 作者:-- 浏览:1025 时间:2016-08-10 14:18 标签: 摘要: 【用途】 普通用途 【性能 参数】 硅 NPN 30V 30mA 500mW 150MHz 【互换 兼容】 【用途】 普通用途 【性能 参数】 硅NPN 30V 30mA 500mW 150MHz 【互换 兼容】
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半导体分立器件.3DG120型NPN硅高频小功率晶体管.详细规范 Semiconductor discrete device.Detail specification for silicon NPN high-frequency low-power transistor of type 3DG120 预览SJ 20060-1992前三页 标准号 SJ 20060-1992 1992年 总页数 12页 发布单位 ...
3DG120型NPN硅外延平面高频小功率三极管doi:SJ 789-1974