在12英寸3D TSV工艺、12寸异质晶圆三维集成封装技术、汽车及工业制造智能传感器高可靠性封装工艺等多个领域取得创新突破。 硕贝德,其3D先进封装技术目前主要用于COMSSensor芯片封装(WLCSP(晶圆级芯片封装)+TSV(硅通孔技术)技术),未来在MEMS芯片和多芯片内存芯片等封装领域具有广阔前景。但封装不会成为他们核心的业务,会...
晶圆级3D封装是一种在晶圆级别进行封装的技术,其主要结构包括具有再分布层的模制芯片组件,称为晶圆级CSP(WLCSP)。此外,3D封装结构通常具有硅通孔(TSV)和微凸块互连的堆叠管芯,以及用于两个管芯的具有微凸块的面对面互连。这些结构使得晶圆级3D封装能够实现更高的性能...
AK09973D霍尔效应WLCSP5表面贴装±36mT三轴磁性传感器AKM 人们对监测物体位置的传感功能的需求越来越大。 AKM已经开发了一个三轴磁传感器,能够检测X、Y和Z的磁信号,允许实时分析磁矢量。低功耗、16位精度和大量程使这项技术成为AR/VR游戏、监控摄像头定位、真无线立体声(TWS)、智能家居、智能锁和门/窗开/关检...
Amkor 以其精通于先进封装,而且具备大批量生产各种创新解决方案的能力而著称,其中包括到目前为止最大型的可靠 WLCSP。特色 WLSiP 并排多芯片模块 (MCM) WLSiP 与被动元件和无引脚封装集成 WLSiP 产品组合配置从 2 x 3 mm2(2 个元件)到 33 x 28 mm2(10 个元件) 通过采用封装通孔 (TPV) 堆叠 WLSiP 和...
WLCSP- 标准晶圆级 CSP 封装。随着各种工艺技术的发展,例如低固化温度聚合物、将铜材料用于凸块下金属化 (UBM) 和 RDL,我们可以实现更高的密度,提高 WLCSP 封装的可靠性。 • 硅 (Si) 级别集成 在真正的 3D IC 设计中,目标是将一个芯片贴合在另一个芯片上,两者之间没有任何间隔(无中介层或基材)。目前,...
图1展示了当前主流的先进封装技术平台,包括Flip-Chip、WLCSP、Fan-Out、Embedded IC、3D WLCSP、3D IC、2.5D interposer等7个重要技术。其中绝大部分和晶圆级封装技术相关。支撑这些平台技术的主要工艺包括微凸点、再布线、植球、C2W、W2W、拆键合、TSV工艺等。先进封装技术本身不断创...
扇出型WLCSP是对扇入型封装的改进，具备如下优点：1）提高I/O数量：扇入型的封装锡球均位于芯片表面，而肩出型的封装锡球可以延伸至芯片以外。2)防护性能更强：扇出型封装受填充的环氧树脂模塑料保护。WLP工艺流程的关键工艺为重新布线(RDL)。首先，涂覆第一层聚合物薄膜，以加强芯片的钝化层，起到应力缓冲的作用。...
Processing innovations developed include flip chip fluxing methods for very fine pitch and small bump sizes, vision recognition of the chip and substrate during assembly, reflowing of the flip chips on a wafer, and underfilling a solder balled WLCSP wafer with chip components in close proximity. ...
These include the largest reliable WLCSP to date.Features WLSiP side-by-side multi-chip modules (MCM) WLSiP with passives and leadless package integration Portfolio of WLSiP configurations range from 2 x 3 mm2 (2 components) to 33 x 28 mm2 (10 components) WL3D Package-on-Package (PoP) ...
图1展示了当前主流的先进封装技术平台,包括Flip-Chip、WLCSP、Fan-Out、EmbeddedIC、3DWLCSP、3D IC、2.5Dinterposer等7个重要技术。其中绝大部分和晶圆级封装技术相关。支撑这些平台技术的主要工艺包括微凸点、再布线、植球、C2W、W2W、拆键合、TSV工艺等。先进封装技术本身不断创新发展,以应对更加复杂的三维集成需求...