3D DRAM分为封装级和晶圆级，封装级3D DRAM属于近存计算，突破内存墙瓶颈，已商业化量产，晶圆级3D DRAM突破2D DRAM制程微缩瓶颈，难度更大，目前仍处于研发阶段。 封装级3D DRAM：指通过封装工艺将多颗2D DRAM Die进行3D堆叠，HBM目前最高堆叠12层DRAM Die，每层Die之间通过 TSV/Microbump等先进封装工艺实现电气...
高频宽内存（High Bandwidth Memory；HBM）是一种基于3D堆叠技术的高效能DRAM。它由三星电子、AMD和SK海力士共同开发，旨在满足高内存带宽需求的应用，如GPU、网络交换设备等。HBM的设计使其能够提供比传统DRAM更高的带宽和更低的功耗。HBM通过3D堆叠架构，将多层DRAM芯片垂直堆叠，并使用硅通孔（TSV）技术进行连接，实...
日本东京理工大学研究团队提出了一种名为BBCube的3D DRAM 堆栈设计技术,该技术可以让处理单元和动态随机存取存储器(DRAM)之间更好地集成。 BBCube 3D最显著的方面是实现了处理单元和DRAM之间的三维而非二维连接。该团队使用创新的堆叠结构,其中处理器管芯位于多层DRAM之上,所有组件通过硅通孔(TSV)互连。 BBCube 3D ...
总体而言，该文涉及了混合键合DRAM技术发展、I/O密度的限制和扩展的难题、2.5D TSV先进封装的作用等内容。存储计算随着时代的发展已出现各种新的问题和限制。在岳志恒的论文中，提到了近存计算与“滩前问题”两个概念。近存计算则是近年行业广泛采用HBM作为解决方案后，再辅以先进封装方式将HBM芯片与计算芯片在silico...
据日本经济新闻报道，联电、尔必达（Elpida）、力成 3 家半导体大厂于 2010 年 6 月 21 日宣布，3家业者将针对铜制程硅通孔（Cu-TSV）3D 芯片新技术进行合作开发，除了针对 3D 堆叠铜制程的高容量 DRAM 技术合作，未来也将开发 DRAM 及逻辑芯片的 3D 堆叠芯片技术，争取手机、高性能家电、游戏机等整合型单...
在边缘计算领域里,对DRAM带宽的要求远高于容量,此时采用 Chiplet 方式集成 3D DRAM 存储方案,就可以同时提供高带宽和低功耗。 今年2月,在正式加入 UCIe (Universal Chiplet Interconnect Express) 产业联盟之后,华邦电子随即宣布其创新产品CUBE: 3D TSV DRAM 和 3DCaaS (3D CUBE as a Service) 一站式服务平台,将...
通往3D DRAM道路的技术中，这里要特别提到的是HBM（High Bandwidth Memory，高带宽存储器）和无电容式IGZO（indium-gallium-zinc-oxide）技术。HBM方面，2014年，AMD、SK海力士共同开发出HBM技术，该技术使用TSV（Through Silicon Via，硅穿孔）技术将数个DRAM芯片堆叠起来，大幅提高了容量和数据传输速率，自此便开启了...
3D dram,cowos的核心工艺就是TSV刻蚀和键合技术,这两块一个是TSV市占率在国内几乎100%的北方华创,一个键合领先的拓荆科技。 2025-02-24 11:02 3D dram,cowos的核心工艺就是TSV刻蚀和键合技术,这两块一个是TSV市占率在国内几乎100%的北方华创,一个键合领先的拓荆科技。
目前，3D DRAM处于早期研发阶段，包括三星等各方正在加入研发战局，竞争激烈，以引领这一快速增长的市场。三星：4F2 DRAM 三星从2019年开始了3D DRAM的研究，并在这一年的10月宣布开发出业界首个12层 3D-TSV（硅通孔）技术。2021年，三星在其DS部门内建立了下一代工艺开发研究团队，专注该领域研究。在2022年的...
TSV 互连尚待解决的关键技术难题之一是通孔的刻蚀,目前通常有两种方法:激光钻孔以及深反应离子刻蚀(DRIE)。激光加工系统供应商 Xsil 公司为 TSV 带来了最新解决方案,Xsil 称激光钻孔工艺将首先应用到低密度闪存及 CMOS 传感器中,随着工艺及生产能力的提高,将会应用到DRAM 中。