IT之家了解到，基于该成果的文章“Inter-Layer Dielectric Engineering for Monolithic Stacking4F2-2T0C DRAM with Channel-All-Around (CAA) IGZO FET to Achieve Good Reliability (>104s Bias Stress, >1012 Cycles Endurance)”入选 2022 IEDM。微电子所硕士生陈传科为第一作者，微电子所李泠研究员、耿玓副研...
虽然这些进步前景光明,但必须注意的是,3D DRAM 并非指日可待。目前的所有努力都需要多年的开发和评估才能实现商业化。“新架构总是比现有方法的实施更具挑战性,”Soden 说。 https://www.techspot.com/news/106164-dram-manufacturers-explore-new-designs-overcome-3d-stacking.html 半导体精品公众号推荐 专注半导体...
这样,栅叠层就完成了,两个晶体管也完成了。 这个过程可能看起来很复杂,但它比替代技术更好——一种称为顺序 3D 堆叠(sequential 3D stacking )CMOS 的技术。采用这种方法,NMOS 器件和 PMOS 器件构建在不同的晶圆上,将两者粘合,然后将 PMOS 层转移到 NMOS 晶圆上。相比之下,自对准 3D 工艺需要更少的制造步骤...
该研究成果有助于推动实现 4F2 IGZO 2T0C-DRAM 单元。 ▲ CAA IGZO FET 的可靠性测试结果 IT之家了解到,基于该成果的文章“Inter-Layer Dielectric Engineering for Monolithic Stacking 4F2-2T0C DRAM with Channel-All-Around (CAA) IGZO FET to Achieve Good Reliability (>104s Bias Stress, >1012 Cycle...
Lam Research 全球半导体工艺与集成高级经理 Benjamin Vincent表示:“DRAM 正追随 NAND 的脚步,向三维方向发展,以便在单位面积上构建更多的存储空间。这对行业有利,因为它推动了内存的技术发展,而且每平方微米的位数越多,生产成本就越低。” 值得注意的是,3D DRAM 可以指代两个不同的概念。一个已经投入生产的概念是...
Stacking Challenges A natural move to advance DRAM scaling is to put the 2D DRAM components on their side and stack them. Doing it this way presents several challenges: The horizontal orientation necessitates lateral etching, which is difficult because recess sizes vary greatly. ...
IT之家了解到,基于该成果的文章“Inter-Layer Dielectric Engineering for Monolithic Stacking4F2-2T0C DRAM with Channel-All-Around (CAA) IGZO FET to Achieve Good Reliability (>104s Bias Stress, >1012Cycles Endurance)”入选2022 IEDM。微电子所硕士生陈传科为第一作者,微电子所李泠研究员、耿玓副研究员...
IT之家了解到,基于该成果的文章“Inter-Layer Dielectric Engineering for Monolithic Stacking4F2-2T0C DRAM with Channel-All-Around (CAA) IGZO FET to Achieve Good Reliability (>104s Bias Stress, >1012Cycles Endurance)”入选2022 IEDM。微电子所硕士生陈传科为第一作者,微电子所李泠研究员、耿玓副研究员...
这个过程可能看起来很复杂,但它比替代技术更好——一种称为顺序 3D 堆叠(sequential 3D stacking )CMOS 的技术。采用这种方法,NMOS 器件和 PMOS 器件构建在不同的晶圆上,将两者粘合,然后将 PMOS 层转移到 NMOS 晶圆上。相比之下,自对准 3D 工艺需要更少的制造步骤并更严格地控制制造成本,这是英特尔在研究中展...
简单来说，AMD对原有的2D封装技术改进，在处理器上引进垂直堆叠缓存技术，即在CPU的垂直方向上增加缓存晶片CCD的数量，进而提高了CPU片内三级缓存L3的容量。这项技术无需增加芯片的大小或缩小逻辑电路。因此，称为垂直堆叠V-Cache Stacking。AMD对外宣传，采用这项新技术，在使用相同的架构、内核和线程数量的条件下，...