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比如图2-24 某LDO在Iout=150mA时,LDO不同的输出Vout对应的VDO也不同,Vout越大,需要的VDO就越小,这可以从图2-16 找到解释,当输入电压Vi(对应MOS的VD)和输出电流不变时,Vout越大那么也就是MOS的VDS越小(VDS=VDO=Vi-VO),则VDO也就越小。 图2-24 LDO手册数据...
主营商品:晶振、MOS管、传感器、传感器、单片机、IC芯片、肖特基、快恢复、桥堆、电容器、IGBT管、场效应管 进入店铺 全部商品 19:39 u** 联系了该商品的商家 08:47 c** 联系了该商品的商家 02:29 y** 联系了该商品的商家 08:38 i** 联系了该商品的商家 10:52 m** 联系了该商品的商家 15:21 w...
系列 CoolMOS C3 配置 Single 下降时间 10 ns 正向跨导 - 最小值 36 S 高度 21.1 mm 长度 16.13 mm 上升时间 5 ns 晶体管类型 70 ns 典型关闭延迟时间 10 ns 典型接通延迟时间 5.21 mm 宽度 SPW35N6C3XK SP000014970 SPW35N60C3FKSA1 零件号别名 6 g 可售卖地 全国 型号 SPW35...
中兴ZXMP S385出售OL4*4 622M4口光接口板 ¥ 9999.00 ZXONE 5800中兴S16A*4单板MOS4B ¥ 9999.00 中兴OTN8700光端机N4M2WDM ¥ 9999.00 中兴PTN设备ZXCTN6500-16 ¥ 9999.00 OSN3500中兴传输单板华为OSN3500 ¥ 9999.00 华为osn1500B光端机OptiX OSN 1500B光传输设备及单板 ¥ 20000.00 Opt...
即UP-S级或MOS试剂(读作:摩斯试剂)。一般用于半导体,电子管等方面,其杂质最高含量为0.01-10ppm,有的可降低到ppb数量级,金属杂质含量小于1ppb,尘埃等级达到0-2ppb,适合0.35—0.8微米集成电路加工工艺。 3.单晶生产用高纯化学品。 4....
50N06 全新原装 HLDD50N06 TO-252 60V 50A MOS场效应管 工厂直销 ￥0.32 本店由搜了网(深圳)运营支持 获取底价 商品描述 价格说明 联系我们 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 UNI/一般用途 封装外形 SMD(SO)/表面封装 材料 GE-N-FET锗N沟道 是否跨境出口专供货源...