以下是两种常见的3400MOS管参数介绍: AO3400: 封装:SOT-23 脉冲漏极电流(IDM):30A 零栅极电压漏极电流(IDSS):1uA 栅源电压(VGS):±12V 持续漏极电流(ID):5.8A 漏源电压(VDS):30V 栅极阈值电压(VGS(th)):1.4V 工作温度:-55~+150℃ 尺寸:本体长度1.7mm,加引脚长度2.95mm,宽度3.1mm,高度1.3mm,脚...
3400mos管参数,本视频由电子领航提供,0次播放,好看视频是由百度团队打造的集内涵和颜值于一身的专业短视频聚合平台
引脚数量:3 类型:MOS管 特性:N沟道MOS管、中低压MOS管 RDS(on):28 mΩ VGS:1.45 封装尺寸:如图 工作温度:-55°C~150°C AO3400特性: AO3400采用先进的沟槽技术,提供优异的RDS(ON)、低栅极电荷和低至2.5V的栅极电压操作。该设备适用于电池保护或其他开关应用. AO3400应用领域: 高功率和电流处理能力 获得...
型号 3400 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能随着购买数量不同或所选规格不同而发生变化,如用户与商家线下达成协议,以线下协议的结算价格为准,如用户在爱采购上完成线上购买,则最终以订单结算页价格为准。 抢购价:商品参与营销活动的活动价格,也可能随...
3400mos是一种电子元件,常用于功率放大器和开关电源等领域。它是一种高压功率MOS管,具有高速开关、低导通电阻、低漏电流等特点,适用于高频、高压的应用场合。 参数 1. 额定电压:3400V 2. 额定电流:100A 3. 最大耗散功率:900W 4. 开通时间:30ns 5. 关断时间:70ns 6. 导通电阻:0.08Ω 7. 漏电流:10μ...
3400场效应管,KIA3400参数引脚图 KIA3400场效应管漏极电流4.8A,漏源击穿电压30V,采用先进的沟槽技术,提供出色的RDS(导通)、低栅极电荷和低至2.5V的栅极电压操作,减少开关损耗,高效稳定可靠;符合ROHS标准、绿色环保;适用于电源管理、开关控制、功率放大、高频信号处理等,封装形式:SOT-23,尺寸小,安装方便。
MOS管AO3400参数 PD最大耗散功率:1.4WID最大漏源电流:5.8AV(BR)DSS漏源击穿电压:30VRDS(ON)Ω内阻:28MΩVRDS(ON)ld通态电流:0.7AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:0.7~1.4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μAGfs(min)S跨导:10SGfs(min)VDS漏源电压:5VGfs(min)lo通态电流:5A ...
ao3400mos管参数特性: 1.低功耗,超低电压(vcc) 2.高速传输速率 (最高达20mhz) 3.快速开关时间(nsec),极低的电流消耗 4.高输入阻抗 5.宽工作温度范围(-55°C至+125°C) 6.可提供单电源供电和双电源供电 7.支持热插拔 8.支持远程唤醒 9.内置的过压保护 10.内置的温度补偿电路 11.具...
VBsemi FDD4685-VB和AO3400A-VB是两种MOS管。以下是它们的产品中文详细参数介绍与应用简介的重新生成: FDD4685.pdf 287.6K· 百度网盘 1. **VBsemi FDD4685-VB:** - 类型:P沟道 - 额定电压:-40V - 额定电流:-65A - 导通电阻:10mΩ@10V, 13mΩ@4.5V - 阈值电压:-1.6V - 封装:TO252 AO3400A.pdf...