30N10-VB 商品编号 C3040291 商品封装 TO-252-2 包装方式 编带 商品毛重 0.39克(g) 商品参数 资料纠错查看类似商品 属性参数值 商品目录场效应管(MOSFET) 类型1个N沟道 漏源电压(Vdss)100V 连续漏极电流(Id)40A 导通电阻(RDS(on))30mΩ@10V,5A ...
HM30N10-VB 商品编号 C29778816 商品封装 TO-220AB 包装方式 管装 商品毛重 2.35克(g) 商品参数 资料纠错查看类似商品 属性参数值 商品目录场效应管(MOSFET) 漏源电压(Vdss)100V 连续漏极电流(Id)55A 导通电阻(RDS(on))36mΩ@10V,5A 耗散功率(Pd)127W ...
30N10-VB是一款N沟道场效应晶体管(FET),具有高电压和高电流特性。它适用于需要高性能电流控制的电子应用。TO252封装适合各种电路设计。 应用领域:1. 电源开关模块:30N10-VB可用于电源开关电路,如开关稳压器、DC-DC转换器和功率放大器,以实现高效的电能转换和稳定的电源输出。 2. 电机控制:在电机驱动电路和电机...
30N10-VB一种N沟道TO252封装MOS管执子**拖走 上传553KB 文件格式 pdf MOSFET 30N10-VB一种N沟道TO252封装MOS管 点赞(0) 踩踩(0) 反馈 所需:1 积分 电信网络下载 未提供有效信息 2025-03-16 03:59:00 积分:1 设计模式_结构型_代理模式.md 2025-03-16 02:43:54 积分:1 ...
30N10F7-VB 是一款由 VBsemi 生产的单 N 沟道功率 MOSFET,采用 TO-220F 封装。该器件具有 100V 的漏源电压(VDS)和±20V 的栅源电压(VGS),以及 50A 的连续漏极电流(ID)。采用沟槽技术,30N10F7-VB 具有优异的导通特性和高电流处理能力,适用于多种高功率应用。
AM30N10-70D-T1-PF是一款高性能的N沟道MOSFET,由VBsemi公司生产,适用于电源管理、开关应用和其他高效率电路设计。这款MOSFET具有以下主要特点: 1. TrenchFET技术:AM30N10-70D-T1-PF采用TrenchFET结构,这是一种先进的制造工艺,通过在硅片上创建深沟槽来减小导通电阻(RDS(on)),从而提高开关效率和降低功耗。 2. ...
GoodDatasheet提供了VBZE30N10规格参数信息和VBZE30N10的供应商信息(地址、联系电话、联系人)可免费索样,这里还提供了VBZE30N10及相关型号的PDF资料、生产厂商、功能描述、图片等信息,这里还有VBZE30N10相关型号信息。
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制造商 : VB 封装/规格 : TO-252 产品分类 : 分离式半导体 Datasheet: SSD30N10-70D Datasheet (PDF) RoHs Status: Lead free/RoHS Compliant 库存: 5882 Share: Pinterest LinkedIn WhatsApp Facebook Line X 分享 对比产品 数量 加入BOM 询价 ...
商品名称:DEUZE激光位移传感器、开关传感器ICBQ3.0VB06N1、LA30M15/10IG3-M-B5 LV20CTK30P3 FK51N3 商品编号:DEUZE激光位移传感器、开关传感器ICBQ3.0VB06N1、 生产商:DEUZE 型号说明:激光位移传感器、开关传感器ICBQ3.0VB06N1、LA30M15/10IG3-M-B5 LV20CTK30P3 FK51N3 ...