MOSFET 600V 200A IGBTNúmero de parte: GT30J127Descripción:IGBT PARA APLICACIONES DE PANTALLAS DE TELEVISION DE PLASMA TO-220Voltaje: 600VCorriente: 200A 数据表 search, datasheets, 电子元件和半导体, 集成电路, 二极管, 三端双向可控硅 和其他半导体的
部件名30F126 下载30F126下载 文件大小1582.74 Kbytes 页73 Pages 制造商TOSHIBA [Toshiba Semiconductor] 网页http://www.semicon.toshiba.co.jp/eng 标志 功能描述BipolarSmall-SignalTransistors MOS GT30F126 30F126 30A/330V IGBT TO-220F Toshiba 30F126 GT30F126 ...
rjp30e2是N沟绝缘栅双极型（IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)晶体管，主要参数：高速开关晶体管；360V；35A；50W；门极-发射极间的电压±30V，30f126 是场效应管，不是IGBT 管，不能相互代替
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