全新进口原装 K3767 2SK3767 2A600V 液晶电源开关场效应管MOS管 深圳市宝安区沙井新鸿通电子经营部8年 月均发货速度:暂无记录 广东 深圳市宝安区 ¥0.60 全新原装现货 2SK3767 场效应管 东芝 MOSFET 600V 2A 深圳市福田区新亚洲电子市场二期嘉能源电子经营部16年 ...
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型号 2SK3767 技术参数 品牌: TOSHIBA/东芝 型号: 2SK3767 封装: NA 批号: 1936 数量: 20000 RoHS: 是 产品种类: 电子元器件 最小工作温度: -40C 最大工作温度: 100C 最小电源电压: 1.5V 最大电源电压: 8.5V 长度: 9.9mm 宽度: 9mm 高度: 1.9mm 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成...
VBsemi 2SK3767_06-VB 是一款单 N 沟道功率 MOSFET,具有高耐压特性和低导通电阻。采用 TO220F 封装,适合用于需要高耐压和低功率的应用场合。该器件采用平面技术(Plannar Technology),具有良好的稳定性和可靠性,适用于要求高性能和稳定性的电路设计。 ### 二、详细参数说明 | 参数名称 | 参数值 | |---|---...
2SK3767 电子元器件 TOSHIBA 封装TO-220F 批次13+价格 ¥ 0.91 ¥ 0.83 ¥ 0.77 起订数 50个起批 100个起批 800个起批 发货地 广东深圳 咨询底价 产品服务 热门商品 43045-0200 集成电路、处理器、微控制器 MOLEX 封装Through Hole 批次21+ ¥ 0.55 SN74AVCB164245GR 转换器,电平移位器 TI ...
2SK3767-VB是一款高压N沟道MOSFET,适用于要求高耐压和低功率的应用场合。其采用TO220F封装,适合中功率密度的应用。 ### 产品参数 - **漏-源电压 (VDS)**: 650V - **栅-源电压 (VGS)**: ±30V - **阈值电压 (Vth)**: 3.5V - **导通电阻 (RDS(ON))**: 1700mΩ @ VGS=10V ...
发货地 广东深圳 商品类型 电子元器件 、 集成电路(IC) 、 其他集成电路 商品关键词 2SK3767、 TOSHIBA、 TO-220F 商品图片 商品参数 品牌: TOSHIBA 封装: TO-220F 批号: 12+ 数量: 78000 RoHS: 是 产品种类: 电子元器件 最小工作温度: -10C 最大工作温度: 125C 最小电源电压: 4V 最...
部件名2SK3767 下载2SK3767下载 文件大小217.29 Kbytes 页6 Pages 制造商TOSHIBA [Toshiba Semiconductor] 网页http://www.semicon.toshiba.co.jp/eng 标志 功能描述SiliconNChannelMOSTypeSwitchingRegulatorApplications 类似零件编号 - 2SK3767 制造商部件名数据表功能描述 ...
东芝代理 东芝2SK3767功率管,东芝场效应管,现货库存。 封装外形: CER-DIP/陶瓷直插 型号/规格: 2SK3767 材料: N-FET硅N沟道 用途: MOS-INM/独立组件 品牌/商标: TOSHIBA/东芝 沟道类型: N沟道 种类: 绝缘栅(MOSFET) 导电方式: 增强型 了解详情立即询价...
2SK3767 Switching Regulator Applications Unit: mm • • • • Low drain-source ON resistance: R = 3.3Ω (typ.) DS (ON) High forward transfer admittance: |Y | = 1.6S (typ.) fs = 100μA (V Low leakage current: I = 600 V) DS DSS Enhancement mode: V ...