2SK3133-VB 是一款单 N 沟道 MOSFET,采用 TO252 封装,适用于中高压、高电流应用。该器件具有 30V 的漏源电压 (VDS) 和 80A 的连续漏极电流 (ID),在不同的栅源电压下具有非常低的导通电阻 (RDS(ON))。采用了 Trench 技术,具有高效能、低导通电阻和快速开关特性,适用于要求高效能量管理和高功率密度的电子...
2SK3133S-VB 数量 国内价格 10+ ￥1.18335 交货地: 1国内(含增税) 交期(工作日): 4-6工作日 库存: 1 450000(10起订) 数量: X1.18335(单价) 总价: ￥ 11.8335 加入购物车立即购买 品牌:VBsemi 型号: 2SK3133S-VB 商品编号: 封装规格: TO252 商品描述: 台积电流片,长电封测。N沟道...
2SK3133(L),2SK3133(S)Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching ADE-208-720 (Z)Target Specification 1st. Edition February 1999 Features • Low on-resistance = 7 mΩ typ.R DS(on)• Low drive current • 4 V gate drive device can be driven from 5 V source Outline ...
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**型号**: 2SK3133S-VB **封装**: TO252 **配置**: 单N沟道 **技术**: 沟槽型(Trench) 2SK3133S-VB是一款高性能单N沟道MOSFET,具有30V的漏-源电压承受能力。采用沟槽型技术设计,具有极低的导通电阻和高电流处理能力,适用于中功率电路设计。
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供应 全新原装2SK1132-K K1132 K档 N沟道MOSFET场效应管 TO-92S 深圳市福田区新旭耀微电子商行8年 月均发货速度:暂无记录 广东 深圳市福田区 ¥0.61 2SK1132原装NEC现货三极管 新 质量保证 TO-92 30个起拍 深圳市柏利馨电子有限公司9年 月均发货速度:暂无记录 ...
价格: 面议 型号/规格: 2SK3133 品牌/商标: HITACHI 封装形式: 其它 环保类别: 普通型 安装方式: 功率特征: 包装方式: 详细介绍 企业详情 深圳市科俊达电子商行 公司信息未核实 所属城市:广东 深圳 [联系时请说明来自维库仪器仪表网] 联系人: 柯先生 电话:0755-83643784 传真:0755-82714276 手机:...
2SK3133-VB 是一款单 N 沟道 MOSFET,采用 TO252 封装,适用于中高压、高电流应用。该器件具有 30V 的漏源电压 (VDS) 和 80A 的连续漏极电流 (ID),在不同的栅源电压下具有非常低的导通电阻 (RDS(ON))。采用了 Trench 技术,具有高效能、低导通电阻和快速开关特性,适用于要求高效能量管理和高功率密度的电子...