型号 2SK3078A(TE12L,F) 技术参数 品牌: TOSHIBA 型号: 2SK3078A(TE12L,F) 封装: SOT-23-3 批号: 19+ 数量: 3000 制造商: Toshiba 产品种类: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RoHS: 是 晶体管极性: N-Channel 技术: Si Id-连续漏极电流: 500 mA Vds-漏源极击穿电压: 10 V 增益:...
2SK3078A(TE12L,F) 全球供应商 全球供应商 (4家) 刷新货币单位: 需求数量: -+ 含%增值税 供应商发货地库存数量交期(天)MOQ货币1+10+100+1K+10K+购买 AiPCBA -9181立即发货1RMB ¥税2.3732.3732.3732.3732.373购买 得捷 美国0-1000RMB ¥税---4.8794.879询价 ...
型号 2SK3078A(TE12L,F) 技术参数 品牌: TOSHIBA 型号: 2SK3078A(TE12L,F) 封装: SOT-89 批号: 2021+ 数量: 40000 制造商: Toshiba 产品种类: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RoHS: 是 晶体管极性: N-Channel 技术: Si Id-连续漏极电流: 500 mA Vds-漏源极击穿电压: 10 V 增益: ...
2SK3078 丝印H32SK3078A(TE12L,F) 丝印UW TOSHIBA/东芝 SOT-89 深圳植源卓越科技有限公司9年 月均发货速度:暂无记录 广东 深圳市福田区 ¥0.75 全新MOS场效应管2SK3078A3078 丝印 UW 贴片 SOT89 原装进口 深圳市福田区伟跃信电子科技经营部1年
发货地 广东深圳 商品类型 电子元器件 、 晶体管 、 其他晶体管 商品关键词 2SK3078A(TE12L,F)、 TOSHIBA/东芝 商品图片 商品参数 品牌: TOSHIBA/东芝 批号: 新年份 数量: 999999 制造商: Toshiba 产品种类: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET) RoHS: 是 晶体管极性: N-Channel 技术: Si ...
型号 2SK3078A(TE12L,F) 技术参数 品牌: TOSHIBA/东芝 型号: 2SK3078A(TE12L,F) 批号: 新年份 数量: 999999 制造商: Toshiba 产品种类: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RoHS: 是 晶体管极性: N-Channel 技术: Si Id-连续漏极电流: 500 mA Vds-漏源极击穿电压: 10 V 增益: 8 dB 安...
商品关键词 2SK3078A(TE12L,F)、 TOSHIBA 商品图片 商品参数 品牌: TOSHIBA 数量: 5000 制造商: Toshiba 产品种类: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET) RoHS: 是 晶体管极性: N-Channel 技术: Si Id-连续漏极电流: 500 mA Vds-漏源极击穿电压: 10 V 增益: 8 dB 安装风格: SMD/...
型号 2SK3078A(TE12L,F) 技术参数 品牌: TOSHIBA(东芝) 型号: 2SK3078A(TE12L,F) 封装: SC-62 批次: 2021 RoHS: 是 产品种类: 电子元器件 最小工作温度: -40C 最大工作温度: 130C 最小电源电压: 4V 最大电源电压: 7.5V 长度: 5.3mm 宽度: 4.7mm 高度: 2.6mm 价格说明 价格:商品在爱采购的展示...
产品概述:2SK3078A (TE12L, F) 基本信息 2SK3078A是一款由东芝(TOSHIBA)生产的N通道MOSFET场效应管,专为高频放大和开关电路设计。其封装形式为PW-MINI(SC-62),具备良好的热管理和电气性能,广泛应用于RF(射频)放大器及信号处理电路。该器件的核心特点在于其出色的增益能力和稳定的工作特性,适合实现高效能的电子设...
2SK3078A(TE12L,F) ¥ 1.00 /个 2SK3078A,TE12L,F,TOSHIBA,东芝,SC,62 电子元器件/晶体管/其他晶体管 立即拨号 2SK3078A(TE12L,F) 场效应管 TOSHIBA ¥ 0.09 /个 2SK3078A(TE12L,F),TOSHIBA 电子元器件/晶体管/其他晶体管 立即拨号 TOSHIBA 高频三极管 2SK3078A SOT89 优质供应 21+ ...