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2SK3019TL概述 制造商:ROHMSemiconductor 产品种类:MOSFET小信号 RoHS:是 配置:Single 晶体管极性:N-Channel 电阻汲极/源极RDS(导通):7Ohms 汲极/源极击穿电压:30V 闸/源击穿电压:+/-20V 漏极连续电流:0.1A 功率耗散:150mW 最大工作温度:+150C
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2SK3019TL由ROHM(罗姆)设计生产,立创商城现货销售。2SK3019TL价格参考￥0.1604。ROHM(罗姆) 2SK3019TL参数名称:类型:1个N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):100mA;耗散功率(Pd):150mW;工作温度:-40℃~+150℃。下载2SK3019TL中文资料、引脚图、Datasheet
下载 2SK3019TL 下载 文件大小 78.75 Kbytes页 4 Pages 制造商 ROHM [Rohm]网页 http://www.rohm.com标志 功能描述 2.5V Drive Nch MOS FET 2SK3019TL 数据表 (HTML) - Rohm2SK3019TL 产品详情Small switching (30V, 0.1A) Features1) Low on-resistance.2) Fast switching speed.3) Low voltage ...
2SK3019TL中文资料 2SK3019 Transistor Rev.C 1/3 2.5V Drive Nch MOS FET 2SK3019 z Structure Silicon N-channel MOSFET z Applications Interfacing, switching (30V , 100mA)z Features 1) Low on-resistance. 2) Fast switching speed.3) Low voltage drive (2.5V) makes this device ideal for...
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