封装 SOT-523 批号 23+ 数量 15000 RoHS 是 产品种类 电子元器件 最小工作温度 -50C 最大工作温度 80C 最小电源电压 3V 最大电源电压 7.5V 长度 4.1mm 宽度 2mm 高度 1.1mm 可售卖地 全国 型号 2SK3019 技术参数 品牌: CJ/长电 型号: 2SK3019 封装: SOT-523 批号: 23+ 数量: ...
封装 SOT-523 批号 新批号 数量 300000 漏源电压 30V 连续漏极电流 100mA 安装类型 表面贴装型 可售卖地 全国 类型 N沟道 型号 2SK3019 由于电子行业产品价格跌宕起伏,链接上的价格未能一一及时校正修改;且公司发展有上下线,库存不定时在出货,所以在链接上的库存数量也未能一一及时校正修改。请新...
矽源特ChipSourceTek-CST2SK3019是SOT523封装,60V,0.5A的N-Mosfet。矽源特ChipSourceTek-CST2SK3019是BVDSS=60V,RDSON=1.5mΩ,ID=0.5A的N沟道快速切换Mosfet。提供SOT-523封装。 在应用领域方面,矽源特ChipSourceTek-CST2SK3019因其出色的性能而被广泛应用于LED照明、ON/OFF开关以及网络等领域。在LED照明领域,该产...
2SK3019 TL MOS场效应管 SOT-523品牌: Rohm/罗姆,其他 型号: 2SK3019 TL 导电方式: 增强型 沟道类型: N沟道 封装外形: SMD(SO)/表面封装 材料: N-FET硅N沟道 用途: UNI/一般用途 种类: 绝缘栅(MOSFET)询价 询价 相关产品 原装场效应管BSC067N06LS3G IRF7855TRPBF采购 IRF7855TRPBF供应商 ZH130NG场...
2SK3018的封装为SOT-23,体积相对较小,更适合紧凑型电路设计。 2SK3019的封装规格为SOT-523-3,与2SK3018不同,可能占用更多的电路板空间。 功率损耗: 2SK3018的导通电阻为7.5mΩ@10V, 400mA,具有较低的导通电阻,能有效减小功率损耗。 2SK3019的导通电阻(RDS(on))在4V, 10mA条件下为8Ω,相较于2SK3018,其导...
封装 SOT-523 批号 21+ 数量 900000 RoHS 是 产品种类 电子元器件 最小工作温度 -50C 最大工作温度 90C 最小电源电压 4.5V 最大电源电压 7.5V 长度 6.7mm 宽度 2.1mm 高度 1.6mm 可售卖地 全国 型号 2SK3019KN 技术参数 品牌: ROHM 型号: 2SK3019KN 封装: SOT-523 批号: 21+ 数...
封装 SOT-523 批号 最新 数量 90000 品牌 长电 保持类型 2SK3019 材料 SOT-523 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能随着购买数量不同或所选规格不同而发生变化,如用户与商家线下达成协议,以线下协议的结算价格为准,如用户在爱采购上完成线上购买,...
2SK3019 贴片SOT523-3 丝印KN mos场效应管 晶体管 深圳市念芯电子有限公司4年 月均发货速度:暂无记录 广东 深圳市福田区 ¥0.30 CJ长电 贴片2SK3019 30V SOT-523 N沟道 MOS场效应管 厂家直销 深圳市巨盟科技有限公司5年 月均发货速度:暂无记录
品牌名称HXY MOSFET(华轩阳电子) 商品型号2SK3019 商品编号C22396447 商品封装SOT-523 包装方式 编带 商品毛重 0.028667克(g) 数据手册 商品参数 资料纠错查看类似商品 属性参数值 商品目录 场效应管(MOSFET) 类型 1个N沟道 漏源电压(Vdss) 30V 属性参数值 连续漏极电流(Id) 100mA 导通电阻(RDS(on)) 8Ω ...
2SK3019-TP/MOSFET N-Channel MOSFET, SOT-523 package 2SK3019-TP的规格信息 图像仅供参考,请参阅规格书 制造商:Micro Commercial Components (MCC) 产品种类:MOSFET RoHS:是 技术:Si 安装风格:SMD/SMT 封装/ 箱体:SOT-523-3 通道数量:1 Channel