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型号: 2SK3018T106(MS) 商品编号: G14507349 封装规格: SOT-323 商品描述: 此款N沟道场效应晶体管采用SOT-323封装,具备漏源电压(Vdss):30V,连续漏极电流(Id):300mA,RDS:10V@0.3A=1R,适用于电池供电设备、便携式电子产品、逻辑电平转换、信号放大以及需要高效能和空间节省的电路设计中。
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2SK3018T106 数据手册 2SK3018 Transistor 2.5V Drive Nch MOS FET or 2SK3018 zExternal dimensions (Unit : mm) e N co ew m m D es en ig de ns d f zStructure Silicon N-channel MOSFET UMT3 2.0 0.9 0.2 0.3 0.7 1.25 (1) (2) 0.1Min. zApplications Interfacing, switching (30V, 100mA)...
最小包装量 10000 数量 99999 封装 电子元器件 批号 22+ ?? 1000 可售卖地 全国 型号 2SK3018T106 型号: 2SK3018T106 品牌: ROHM 封装: 电子元器件 批号: 22+ 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能随着购买数量不同或所选规格不同而发生变...
部件名2SK3018T106 下载2SK3018T106下载 文件大小79.1 Kbytes 页4 Pages 制造商ROHM [Rohm] 网页http://www.rohm.com 标志 功能描述2.5VDriveNchMOSFET Features 1) Low on-resistance. 2) Fast switching speed. 3) Low voltage drive (2.5V) makes this device ideal for portable equipment. ...
品牌: ROHM/罗姆 型号: 2SK3018/T106 批号: 19+ 封装: SOT23-3 数量: 14000 QQ: 523927668 产品识别码: b9c138b4-2897-11ea-8230-00163e1552d4-24 型号识别码: 定货号: 06262 产品类型: 优势 上架时间: 2019-12-27T18:57:50 联系我们 联系人林琳小姐 联系电话13691683836 电子邮箱523927668@qq.com ...
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2SK3018TransistorRev.B1/32.5V Drive Nch MOS FET2SK3018StructureSilicon N-channelMOSFETApplications 数据表 search, datasheets, 电子元件和半导体, 集成电路, 二极管, 三端双向可控硅 和其他半导体的