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2SK2953-VB是一款由VBsemi生产的单N沟道MOSFET,采用TO3P封装。该MOSFET具有高耐压和适中电流特性,适用于各种中高压功率开关和电源管理应用。其采用了SJ_Multi-EPI技术,具有低导通电阻和高效能量转换的特性,适合对功率要求较高的应用。 ### 详细参数说明 - **型号**: 2SK2953-VB - **封装**: TO3P - **配置...
データシート 2SK2953 データシート/英語 PDF: 455KB 2009年09月 アプリケーションノート MOSFET SPICE モデルグレード PDF: 1939KB 2023年05月 アプリケーションノート 電気的特性: パワーMOSFET アプリケーションノート PDF: 1444KB 2023年02月 アプリケーションノート パワ...
部件名2SK2953 下载2SK2953下载 文件大小301.88 Kbytes 页5 Pages 制造商TOSHIBA [Toshiba Semiconductor] 网页http://www.semicon.toshiba.co.jp/eng 标志 功能描述NCHANNELMOSTYPE(HIGHSPEED,HIGHCURRENTSWITCHING,CHOPPERREGULATOR,DC-DCCONVERTERANDANDMOTORDRIVEAPPLICATIONS) ...
Address:Home > Online orderPart No. MFG D/C QTY Packing Package Note 2SK2953 TOS 02+ 10000 TO-220F 代理现货原装正品 Part No. MFG D/C QTY Packaging Package Note Username Password Tel Mail Contact personHome | Stock Centers | Photo Gallery | Brand Category | Information goods | Online ...
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數據表 2SK2953 數據表/英文 PDF: 455KB Sep,2009 Application Note MOSFET SPICE model grade PDF: 1639KB May,2023 Application Note Electrical Characteristics: Power MOSFET Application Notes PDF: 1266KB Feb,2023 Application Note Quick Reference Guide for Thermal Design for Power Semiconductor SM...
Power DissipationPD90W Drain-Source voltageVDSS600V Drain-Source voltageVDSS600V Electrical Characteristics CharacteristicsSymbolConditionValueUnit Total gate charge (Typ.)Qg-80nC Drain-Source on-resistance (Max)RDS(ON)|VGS|=10V0.4Ω Documents
2SK2953 K2953 Description HAINAYU Packaging Type HAINAYU Application HAINAYU Type HAINAYU Package / Case HAINAYU Series HAINAYU Features HAINAYU Mounting Type HAINAYU Manufacturing Date Code HAINAYU Cross Reference HAINAYU HAINAYU HAINAYU Packaging and delivery Selling Units: Single item Single packa...
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