2SK163 电子元器件 NEC 封装TO-92 批次20+ 电子IC 2SK163 4203 NEC TO-92 20+ ￥4.0000元1~99 个 ￥3.6000元100~999 个 ￥3.4000元>=1000 个 深圳市蓝信宏业电子科技有限公司 4年 -- 立即询价 查看电话 QQ联系 2SK1637 LED光源芯片 HITACHI 封装SMD/DIP 批号1915+ ...
2SK163NEC原装现货TO-92 质量保证价格咨询为准价格咨询为准 深圳市柏利馨电子有限公司9年 月均发货速度:暂无记录 广东 深圳市 ¥2.68 N沟道MOSFET2SK163K163 封装TO-92 集成电路 电子配单 深圳市信佳源电子有限公司4年 月均发货速度:暂无记录 广东 深圳市福田区 ...
其中,2SK163是一种常用的MOSFET场效应管,广泛应用于各类电子设备中。 2SK163场效应管的参数特点主要表现在以下几个方面: 1.导通电阻:2SK163的导通电阻较低,可以减小电路中的功耗和热量产生。 2.漏极电流:2SK163的漏极电流较小,有助于降低电源噪声和提高电路的稳定性。 3.阈值电压:2SK163的阈值电压适中,可在不...
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型号 2SK163-T-A(M) 技术参数 品牌: NEC 型号: 2SK163-T-A(M) 封装: N/A 批号: 2021+ 数量: 7500 RoHS: 是 产品种类: 电子元器件 最小工作温度: -20C 最大工作温度: 125C 最小电源电压: 2V 最大电源电压: 6V 长度: 3.9mm 宽度: 5.6mm 高度: 1.8mm 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价...
2SK1636S-VB是一款由VBsemi制造的单N沟道MOSFET,采用TO263封装形式。该型号具有高电压、高电流承受能力,适用于要求高性能和高可靠性的电路应用。其采用了Trench技术,具有较低的导通电阻和优异的开关特性,适用于各种高功率开关电路和电源管理应用。 ### 二、2SK1636S-VB详细参数说明 ...
2SK163 摘要:【用途】 低频放大场效应管 【性能 参数】 N沟 50V 10mA 400mW 【互换 兼容】 J113 MPF4416 【用途】 低频放大场效应管【性能 参数】 N沟 50V 10mA 400mW 【互换 兼容】
2SK1631 66Kb/2PDrain Current ?밒D= 3A@ TC=25C 2SK1632 64Kb/2PDrain Current ?밒D= 5A@ TC=25C More results 类似说明 - 2SK163 制造商部件名数据表功能描述 KEC(Korea Electronics)2N7000A 67Kb/4PFIELD EFFECT TRANSISTOR 2N7002A 57Kb/4PFIELD EFFECT TRANSISTOR ...
**型号:2SK1636L-VB** 2SK1636L-VB是一款高压单N沟道MOSFET,采用TO251封装,具有250V的漏源电压和17A的连续电流能力。这款MOSFET采用槽沟道技术,具有较低的导通电阻和较高的开关速度,适用于中高功率电源管理和开关控制应用。 ### 详细参数说明 - **封装类型**: TO251 ...
类似零件编号 - 2SK163 制造商部件名数据表功能描述 Hitachi Semiconductor2SK163 34Kb/6PSilicon N-Channel MOS FET NEC2SK163 39Kb/2PField Effect Transistor Inchange Semiconductor ...2SK1630 64Kb/2PDrain Current ?밒D= 3A@ TC=25C 2SK1631