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;; ;2SJ200和2SK1529器件按照LM3S3651-IQR50-A0截止时栅极一源极间电压VGS(oFF)的大小分为O和Y两档,无论使用哪一档都可以。;;; 但是从上下两个器件的特性应该一致的意义上,Tr2、TR3的档次应该相同(如果上下两个器件的档次不同,失真率稍有影响,不过对电路的工作没有影响
2SK1529中文资料
2sk1529功放管:正规测要用图示仪,图示仪是专门测量三极管的放大线性,反向击穿电压,放大β值,基极电流,反向漏电等重要数据。如果你要选择功放配对,必须用图示仪才能测准放大特性 个人可用万用表测量。 如下图: 把拨盘拨向HFE,三极管插入EBC孔内,脚必须插正确,PNP、与NPN不要插错。但只能测出B值。其它参数不能测...
1 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type 2SK1529 High-Power Amplifier Application z High breakdown voltage : V DSS = 180V z High forward transfer admittance : |Y fs | = 4.0 S (typ.)z Complementary to 2SJ200 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)Characteri...
在工业控制系统中,2SK1529-VB可用于控制开关和电流控制器。其高电流和高稳定性使其成为工业设备中不可或缺的元件。 综上所述,VBsemi的2SK1529-VB MOSFET是一款适用于中压高电流应用的N-Channel MOSFET,具有低导通电阻和高电流能力,适用于电源管理、电机驱动和工业控制等领域。其高效能和高稳定性使其成为各种应用...
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