型号: 2SK1317-E 封装: SOP12 批号: 2021 数量: 900000 制造商: Renesas Electronics 产品种类: MOSFET RoHS: 是 安装风格: Through Hole 封装/ 箱体: TO-3P-3 晶体管极性: N-Channel 通道数量: 1 Channel Vds-漏源极击穿电压: 1.5 kV Id-连续漏极电流: 2.5 A Rds On-漏源导通电阻: 12 Ohms Vgs...
2SK1317-E 全球供应商 全球供应商 (7家) 刷新货币单位:原货币USD-$ 美元RMB-¥ 人民币EUR-€ 欧元GBP-£ 英镑CAD-C$ 加币CHF-₣ 法郎HKD-$ 港币INR-RS 卢比JPY-¥ 日元KRW-₩ 韩元RUB-₽ 卢布TWD-$ 新台币 需求数量: -+ 含%增值税 ...
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2SK1317-E 商品编号 C68633 商品封装 TO-3P 包装方式 管装 商品毛重 6.333克(g) 商品参数 属性参数值 商品目录场效应管(MOSFET) 类型1个N沟道 漏源电压(Vdss)1.5kV 连续漏极电流(Id)2.5A 导通电阻(RDS(on))12Ω@2A 属性参数值 耗散功率(Pd)100W ...
发货地 广东深圳 商品类型 电子元器件 、 晶体管 、 其他晶体管 商品关键词 2SK1317-E、 RENESAS瑞萨/IDT、 TO-3P 商品图片 商品参数 品牌: RENESAS瑞萨/IDT 封装: TO-3P 批号: 23+ 数量: 6000 RoHS: 是 产品种类: 电子元器件 最小工作温度: -40C 最大工作温度: 80C 最小电源电压: 2...
2SK1317-E现货_参数_价格_Renesas Electronics 2SK1317-E简述 制造商:Renesas Electronics 批号:新批次 描述:MOSFET MOSFET - Pb Free 2SK1317-E详细参数 2SK1317-E价格 其他说明 价格有优势,2SK1317-E国内现货当天可发货。 联系:18028728293(微信同号) Q:16845050...
2SK1317-E和SK13,对比:2SK1317-E 封装:TO-3-3,引脚:3,额定功率:100 W,功耗:100 W,针脚数:3,上升时间:70 ns,漏源极电阻:12 Ω,极性:N-Channel,阈值电压:4 V,漏源极电压:1500 V,连续漏极电流:2.50 A,材质:Silicon,工作温度:-55℃ ~ 150℃,安装方式:Through Hole,包装:Tube,reach svhc:No ...
型号 2SK1317-E 技术参数 品牌: RENESAS(瑞萨)/IDT 型号: 2SK1317-E 封装: TO-3P 批次: 2021 RoHS: 是 产品种类: 电子元器件 最小工作温度: -50C 最大工作温度: 125C 最小电源电压: 2.5V 最大电源电压: 9.5V 长度: 9.9mm 宽度: 3.4mm 高度: 1mm 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的...
型号 2SK1317-E 技术参数 品牌: RENESAS/瑞萨 型号: 2SK1317-E 封装: Tape Reel 批号: 2023 数量: 3411 类别: 分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 制造商: Renesas Electronics America Inc FET 类型: N 通道 漏源电压(Vdss): 1500 V Vgs(最大值): ±20V 功率耗散(最大值): 100W(Tc) ...
发货地 广东深圳 商品类型 电子元器件 、 集成电路(IC) 、 专用IC 商品关键词 场效应管、 2SK1317、 E、 1个N沟道、 集成电路、 封装TO3P 商品图片 商品参数 品牌: other/其他 系列: Automotive 包装: 卷 零件状态: 在售 应用领域: 1.5 输入电压: 1.2 输出数: 2.1 电压-输出: 2.3 工...