商品型号 2SJ626-T1B-A-VB 商品编号 C7525018 商品封装 SOT-23 包装方式 编带 商品毛重 0.02克(g) 商品参数 资料纠错查看类似商品 属性参数值 商品目录场效应管(MOSFET) 类型1个P沟道 漏源电压(Vdss)60V 连续漏极电流(Id)3.8A 导通电阻(RDS(on))- ...
- 型号:2SJ626-T1B-A-VB- 丝印:VB2658- 品牌:VBsemi- 参数: - 封装类型:SOT23 - 沟道类型:P—Channel - 额定电压:-60V - 额定电流:-5.2A - 开启电阻:40mΩ @ VGS=10V, VGS=20V - 阈值电压:-2V 应用简介:2SJ626-T1B-A-VB 是一款适用于SOT23封装的P-Channel沟道场效应晶体管。其特性包括负载...
制造商编号 2SJ626-T1B-A 制造商 Renesas(瑞萨) 唯样编号 H-2SJ626-T1B-A 供货 Verical 代购 无铅情况/RoHs 无铅/符合RoHs 描述 分享: 数据手册 PDF资料下载 暂无数据 参数信息 常见问题 参数有误? 技巧:勾选主要参数,留空一些可替代的参数,点击查看相似商品,即可快速找到替代品了! 参数参数值...
型号:2SJ626-T1B-A-VB 商品编号: 封装规格:SOT23-3 商品描述:台积电流片,长电封测。P沟道,-60V,-5.2A,RDS(ON),40mΩ@10V,48mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-2Vth(V) 封装:SOT23-3适用于广泛的领域和模块,包括电源管理、电路保护、低功耗应用、传感器接口和医疗电子等,为各种应用提供稳定可靠的性能和高效能的操...
发货地 广东深圳 商品类型 电子元器件 、 晶体管 、 场效应管(MOSFET) 商品关键词 2SJ626、 T1B、 A、 MOS管、 半导体、 场效应管、 电子元器件 商品图片 商品参数 品牌: VBsemi/微碧半导体 漏源电压(Vdss): -60V 连续漏极电流(Id): -5.2A 功率(Pd): 27W 导通电阻: 50mΩ@-10V,-3.2A ...
制造商编号 2SJ626-T1B-A 制造商 Renesas(瑞萨) 唯样编号 G-2SJ626-T1B-A 供货 Arrow 代购 无铅情况/RoHs 无铅/符合RoHs 描述 分享: 数据手册 PDF资料下载 暂无数据 参数信息 常见问题 参数有误? 技巧:勾选主要参数,留空一些可替代的参数,点击查看相似商品,即可快速找到替代品了! 参数参数值操...