2SJ601-Z 规格参数 是否Rohs认证: 不符合 生命周期: Obsolete 零件包装代码: TO-252AB 包装说明: SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 针数: 4 Reach Compliance Code: compliant ECCN代码: EAR99 HTS代码: 8541.29.00.95 风险等级: 5.11 配置: SINGLE WITH BUILT-IN DIODE 最小漏源击穿电压: 60 V 最大漏极电流...
2SJ601-Z Datasheet (HTML) - Renesas Technology Corp2SJ601-Z Product detailsSWITCHING P-CHANNEL POWER MOS FET DESCRIPTION The 2SJ601 is P-channel MOS Field Effect Transistor designed for solenoid, motor and lamp driver. FEATURES Low on-state resistance: RDS(on)1 = 31 mΩ MAX. (VGS ...
品牌名称VBsemi(微碧半导体) 商品型号2SJ601-Z-VB 商品编号C879138 商品封装TO-252 包装方式 编带 商品毛重 0.394克(g) 数据手册 商品参数 资料纠错查看类似商品 属性参数值 商品目录 场效应管(MOSFET) 类型 1个P沟道 漏源电压(Vdss) 60V 连续漏极电流(Id) 50A 属性参数值 导通电阻(RDS(on)) 25mΩ@10V...
安森德P沟道MOS ASDM60P25KQ可以替代美国万代AOD407和台湾微碧2SJ601Z。以下是具体原因：电气性能匹配：ASDM60P25KQ具有60V的漏源击穿电压、最大仅1uA的零栅极电压漏极电流以及最大仅60mΩ或72mΩ的漏源导通电阻等电气特性，这些参数与美国万代AOD407和台湾微碧2SJ601Z相匹配或更优，能够满足相同或类...
型号: 2SJ601-Z-E1-AZ 封装: Cute Tape 批号: 2023 数量: 3413 产品应用: 电子设备 产品类别: 电子元器件 是否支持订货: 是 现货交期: 1个工作日内 是否支持样品: 是 产品认证: UL,RoHS,CSA,TUV 是否提供FAE: 是 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化...
安森德推出的P沟道沟槽式MOS管ASDM60P25KQ,具有超低的Qgd,通过了100%雪崩测试,安全性能较好,可替代万代的AOD407和台湾微碧(VBsemi)的2SJ601-Z,广泛运用于LED灯、电源、玩具、雾化器等产品上。 电气特性方面,ASDM60P25KQ的漏源击穿电压的最小值为-60V。零栅极电压漏极电流最大仅-1uA(25℃)。漏源导通电阻最大...
2SJ601-Z 13+ 18500 TO-252 全新原装正品,大量现货库存供应 深圳市芯福林电子科技有限公司 QQ: 电话:0755-82574045 联系人:张女士 地址:广东省深圳市福田区华强北赛格广场66楼6608B 2SJ601-Z VBsemi 21+22+ 27000 TO252 原装正品 深圳市芯脉实业有限公司 QQ: 电话:19166203057 联系人:周...
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