2SD1047是一款由意法半导体(STMicroelectronics)生产的双极晶体管,其详细参数如下: 一、基本电气参数 晶体管类型:NPN 集电极电流(Ic):最大值为12A 集射极击穿电压(Vceo):最大值为140V 耗散功率(Pd):最大值为100W 直流电流增益(hFE):在1A、5V条件下,最小值为60 特征频率(fT):20MHz 二、其他参数 集电极
2SD1047由ST设计生产。2SD1047封装/规格:集电极截止电流 (Icbo)/100nA:湿气敏感性等级 (MSL)/1(无限):晶体管类型/NPN:集射极击穿电压Vce(Max)/140V:DC电流增益(hFE)/60@1A,5V:集电极电流 Ic/12A:Vce饱和压降/700mV:功率耗散/100W:跃迁频率/20MHz:工作温度/+150℃:安装类型/插件:封装/外壳/TO-3P:集电...
Collector Current-Pulse PC Collector Power Dissipation @ TC=25℃ TJ Junction Temperature 15 A 100 W 150 ℃ Tstg Storage Temperature Range -40~150 ℃ 2SD1047 1 SPTECH Silicon NPN Power Transistor 2SD1047 ELECTRICAL CHARACTERISTICS TC=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN ...
型号 2SD1047 技术参数 品牌: ST/意法半导体 型号: 2SD1047 封装: Cute Tape 批号: 2023 数量: 3781 制造商: STMicroelectronics 产品种类: 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) RoHS: 是 安装风格: Through Hole 封装/ 箱体: TO-3P-3 晶体管极性: NPN 配置: Single 集电极—基极电压 VCBO: 200 V 发...
功放音响功率管2SD1047参数规格,电子电路原理,规格资料 SPTECH Silicon NPN Power Transistor2SD1047 DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- :V(BR)CEO=140V(Min)·Good Linearity of h FE ·High Current Capability ·Wide Area of Safe Operation ·Complement to Type2SB817 APPLICATIONS ·Recommend ...
2SD1061 NPN epitaxial planar silicon transistor, 50V/7A, switching application 2SD1062 NPN epitaxial planar silicon transistor, 50V/12A, switching application 2SD1047 PDF资料和参数原理简介 品牌:SANYO 封装形式 : 2022A 引脚数量 : 3 温度范围 : 最小 0 °C | 最大 0 °C ...
2SD1047 PDF资料下载 参数信息 参数参数值 包装 管件 系列 - 零件状态 有源 晶体管类型 NPN 电流- 集电极(Ic)(最大值) 12A 电压- 集射极击穿(最大值) 140V 不同Ib,Ic 时的Vce 饱和值(最大值) 700mV @ 700mA,7A 电流- 集电极截止(最大值) ...
2SD1047 库存编号:2SD1047STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 140V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube - Rail/Tube (Alt: 2SD1047)0 300起订300+ 600+ 1200+ 1800+ 2400+ ￥27.75 ￥27.61 ￥27.47 ￥27.33 ￥27.19 1-2周询价 新加坡3号仓库仓库直销,订单金额100元起订,满300元含运,满500元含税运,有...
唯样编号G-2SD1047 供货Arrow代购 无铅情况/RoHs无铅/符合RoHs 描述 2SD1047 Series 140 V 12 A High Power NPN Epitaxial Planar Bipolar Transistor 数据手册发送到邮箱 PDF资料下载 2SD1047.pdf 参数信息常见问题 参数有误? 技巧:勾选主要参数,留空一些可替代的参数,点击查看相似商品,即可快速找到替代品了!