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品牌/型号:Toshiba/东芝/2SC5712 加工定制:是 封装材料:塑料封装 击穿电压VCEO:50 品牌:Toshiba/东芝 应用范围:功率 材料:硅Si 型号:2SC5712 集电极最大耗散功率PCM:2.5 封装形式:TO-92SC-43 极性:NPN型 集电极最大允许电流ICM:5 类别:PW-Mini 结构:外延型 ...
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型号: 2SC5712 标记/丝印/代码/打字: 2A 厂家: TOSHIBA 封装: SOT-89/PW-Mini 批号: 10+ROHS 库存数量: 149000 所属分类: 三极管Bipolar Junction Transistors(BJT) NPN 技术文档PDF: 在线阅读 在线购买(Search Stock) Send order to our E_mail: saler28@mark-ic.com 2SC5712 2A 的参数 集电极-基极...
2SC5712 数据表 (HTML) - Toshiba Semiconductor2SC5712 产品详情MOS GT30F126 30F126 30A/330V IGBT TO-220FToshiba 30F126 GT30F126 Reference site : http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html Reference PDF (30F124, 30F125, 30F127, 30F128, 30F131) : http://pdf.datasheetbank.com...
データシート 2SC5712 データシート/日本語 PDF: 256KB 2013年11月 データシート 2SC5712 データシート/英語 PDF: 147KB 2013年11月 シミュレーションモデル PSpiceモデル ZIP: 2KB 2016年12月 シミュレーションモデル LTspiceモデル (注) ZIP: 6KB 2019年03月 信頼性情報...
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