Manufacturer Part # Datasheet Description Jiangsu Changjiang Elec... 3DA5200C 379Kb / 2P TO-3P Plastic-Encapsulate Transistors KTD998 367Kb / 2P TO-3P Plastic-Encapsulate Transistors 2SA1943 420Kb / 2P TO-3P Plastic-Encapsulate Transistors 2SD1047 740Kb / 4P TO-3P Plastic-Encapsulate Tra...
Manufacturer Part # Datasheet Description Inchange Semiconductor ... KSD288 142Kb / 2P isc Silicon NPN Power Transistor KSD5005 130Kb / 2P isc Silicon NPN Power Transistor KSD5076 137Kb / 2P isc Silicon NPN Power Transistor 2N6496 141Kb / 2P isc Silicon NPN Power Transistor 2N6545 143...
网页http://www.semicon.toshiba.co.jp/eng 标志 功能描述PowerAmplifierApplications 类似零件编号 - 2SC5200_04 制造商部件名数据表功能描述 JILIN SINO-MICROELECTRO...2SC5200-O-AB-N-B 571Kb/8PSilicon NPN Triple Diffused Transistor 2SC5200-O-AL-N-B ...
标志 功能描述SiliconNPNTripleDiffusedTransistor 类似零件编号 - 2SC5200A-O-AB-N-B 制造商部件名数据表功能描述 JILIN SINO-MICROELECTRO...2SC5200A-O-AL-N-B 330Kb/5PPower Amplifier Applications 2SC5200A-O-AL-N-D 330Kb/5PPower Amplifier Applications ...
外形尺寸 PACKAGE MECHANICAL DATA TO-3PL(T) 单位Unit :mm 符号 A 尺寸(mm) 4.70-5.30 2.80-3.20 2.30-2.70 0.80-1.25 0.59-0.61 25.5-26.5 19.5-20.5 5.45(typ) 6.00-6.10 8.95-9.05 20.0-20.4 2.75-2.85 3.45-3.55 3.20-3.30 B1 B2 b c D E e H1 H2 L Q P1...
这个PDF文档包含了所有必要的细节,如产品概述、功能特性、引脚定义、引脚排列图等信息。 PDF下载 DATA SHEET www.onsemi.com NPN Epitaxial Silicon Transistor FJL4315, 2SC5200 1. Base 2. Collector 3. Emitter Features 1 • High Current Capability: I = 17 A C TO−264−3LD ...
网页http://www.hwdz.com.cn 标志 功能描述PowerAmplifierApplications 类似零件编号 - 2SC5200B 制造商部件名数据表功能描述 JILIN SINO-MICROELECTRO...2SC5200B-O-AB-N-B 571Kb/8PSilicon NPN Triple Diffused Transistor 2SC5200B-O-AL-N-B 571Kb/8PSilicon NPN Triple Diffused Transistor ...
下载PDF 2SC5200 价格&库存 -> 查询更多价格&库存 型号:2SC5200 品牌:minos(迈诺斯) 封装:TO-3PL 描述: 国内价格 1+6.79320 10+5.48640 25+4.66560 100+4.01760 400+3.62880 800+3.43440 库存:366 去购买 相关技术文章 采用LM1875及2SA1943/2SC5200的25W x 一个200W功率放大器电路图分享 400瓦70伏放大器原理图...
文件大小238.11 Kbytes 页7 Pages 制造商ONSEMI [ON Semiconductor] 网页http://www.onsemi.com 标志 功能描述NPNEpitaxialSiliconTransistor Features • High Current Capability: IC = 17A. • High Power Dissipation : 150watts. • High Frequency : 30MHz. ...
芯片中文手册看全文戳easyds.cnSC500高功率NPN外延平面双极型晶体管初步数据特征■高击穿电压V■典型˚FT=30兆赫CEO=30V申请书■音频功放3描写本设备采用新型位-LA(双极型晶体管线性放大器)技术制造的NPN晶体管.由此产生的晶体管显示出良好的增益线性特性.内部示意图表1