L2N7002WT1G高热功率MOS管LRC无线电N沟道场效应晶体管SC-70-3 L2N7002WT1G 999999 LRC(乐山无线电) SC-70-3 新批次 ￥0.1200元1000~-- 个 东莞市鑫江电子有限公司 3年 查看下载 立即订购 查看电话 QQ联系 没有更多相关货源,您可以全网发布 “ l2n7002wt1g ” 询价单,快速获得更多供应商报价 全网...
L2N7002WT1G 概述 Small Signal MOSFET 115 mA, 60 V N-Channel SOT-323 小信号MOSFET 115毫安, 60 V的N沟道SOT- 323 小信号场效应晶体管 L2N7002WT1G 规格参数 是否Rohs认证:符合生命周期:Contact Manufacturer 包装说明:,Reach Compliance Code:unknown ...
型号 2N7002WT1G 深圳市达芯源科技有限公司是一家专业化的电子元器件供应商,具有多年集成IC、二三极管销售经验,是国内外多家电子厂商在中国的代理商及特约经销商。公司在深圳、香港备有大量现货和国内外工厂直接货源,以诚信,薄利多销为经营理念,竭诚为广大用户提供服务。 公司经营的品牌齐全,产品应用领域涵盖电源,充...
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LRC(乐山无线电) 商品型号 L2N7002WT1G 商品编号 C12778 商品封装 SC-70-3 包装方式 编带 商品毛重 0.028克(g) 商品参数 资料纠错查看类似商品 属性参数值 商品目录场效应管(MOSFET) 类型1个N沟道 漏源电压(Vdss)60V 连续漏极电流(Id)115mA 导通电阻(RDS(on))1.4Ω@10V,500mA ...
型号: 2N7002WT1G 批号: 2020 封装: SOT-323 数量: 10000 QQ: 1211917089 制造商: ON Semiconductor 产品种类: MOSFET RoHS: 是 技术: Si 安装风格: SMD/SMT 封装/ 箱体: SC-70-3 通道数量: 1 Channel 晶体管极性: N-Channel Vds-漏源极击穿电压: 60 V Id-连续漏极电流: 310 mA Rds On-漏源导通...
批次: 超3年 数量: X0.07581(单价)「卷装(TR)/3000」 总价: ￥ 1.5162 品牌:LRC(乐山无线电) 型号:L2N7002WT1G 商品编号:DS0137355 封装规格:SOT-323 商品描述:小信号MOSFET 115mA,60V N沟道SC70 数据手册 商品详情 PDF数据手册 技术文档 产品分类 ...
2N7002WT1G由ON设计生产。2N7002WT1G封装/规格:配置/单路:栅极电荷(Qg)/0.7nC:阈值电压/2.5V@250µA:漏极电流/310mA:晶体管类型/N沟道:功率耗散/280mW:额定功率/280mW:充电电量/0.7nC:反向传输电容Crss/2.2pF:栅极源极击穿电压/±20V:击穿电压/60V:极性/N-沟道:元件生命周期/Active:存储温度/-55℃~+...
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制造商编号 L2N7002WT1G 制造商 LRC(乐山无线电) 授权代理品牌 唯样编号 A3-L2N7002WT1G 供货 严选 无铅情况/RoHs 无铅/符合RoHs 描述 MOSFET分享: 数据手册 发送到邮箱 PDF资料下载 L2N7002WT1G.pdf 参数信息 常见问题 参数有误? 技巧:勾选主要参数,留空一些可替代的参数,点击查看相似商品,即可...