FQD2N100是一款场效应晶体管,具有多种应用场景和参数特点。下面我们将详细介绍它的应用场景和参数特点。 一、应用场景: 1. 通信设备:FQD2N100可用于功率放大和信号处理,在通信设备中发挥着重要作用。例如,在基站的功率放大器和调制器中广泛使用。 2. 电源管理:在电源管理系统中,FQD2N100可以作为开关管,实现电源的...
品牌:IXYS(艾赛斯) 商品型号:IXTA2N100 产品状态:在售 封装规格:TO-263 数据手册: 商品编号:L103663008 商品参数 近似物料 商品类目 场效应管(MOSFET) 品牌 IXYS(艾赛斯) 封装规格 TO-263 包装 整包装 FET类型 N通道 技术 MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss) 1000V 25℃时电流-连续漏极(Id) 2A(Tc) ...
仁懋/MOT2N100高压平面MOS管1000V2A电子元器件配单2N100 深圳市弘裕芯科技有限公司 7年 月均发货速度: 暂无记录 广东 深圳市福田区 ¥0.10 安森美 NCP1063AD060R2G NCP161ASN330T1G FQD2N100TM FDMS86263P 深圳市国光瑞科技有限公司 2年 月均发货速度: 暂无记录 广东 深圳市龙岗区 ¥0.21...
型号 ZDAB2N-100/1P 系列 100 类型 MCB 电流额定值 100A 电压额定值AC 230V 极数 1P 宽度 36mm 最小包装量 1PS 产品认证 3C认证 可否定制 可定制 额定电压 230V 额定电流 100A 额定绝缘电压(Ui) 500V 额定冲击耐受电压 6kV 过电流瞬时脱扣类型 C型、D型 数量 999999 封装 塑...
1000V高压NMOS管2N100 TO-252 贴片功率场效应管 MOS管应用选型 1000V高压NMOS管2N100的应用领域: 不间断电源 UPS 功率因数校正 PFC 1000V高压NMOS管2N100的极限值: (如无特殊说明,TC=25℃) 1000V高压NMOS管2N100的电特性: (如无特殊说明,TA=25℃)...
@广东场效应半导体有限公司2n100mos管 广东场效应半导体有限公司 2N100MOS管是一种场效应管,被广泛应用于各类电子设备中。我们公司有多款类似产品,具备高性能和稳定性,如果您有具体需求或想了解更多细节,可以随时告诉我们哦。
美格纳MPSC2N100U120 半导体功率模块 MOS管系列 整流二极管 MPSC2N100U120 999 美格纳 标准封装 23+ ￥75.0000元1~-- PCS 亚利亚半导体(上海)有限公司 4年 -- 立即订购 查看电话 QQ联系 MOS管AM4482N-T1-PF封装SOP8贴片100V9A微碧半导体N沟道场效应管 AM4482N-T1-PF 10000 VBsemi/微碧半导体...
类似零件编号 - FQD2N100 制造商部件名数据表功能描述 Fairchild SemiconductorFQD2N100 736Kb/9P1000V N-Channel MOSFET FQD2N100 2Mb/9PN-Channel QFET짰 MOSFET Inchange Semiconductor ...FQD2N100 353Kb/2Pisc N-Channel MOSFET Transistor Fairchild SemiconductorFQD2N100TM ...
品牌名称 Littelfuse/IXYS 商品型号 IXTP2N100 商品编号 C3290362 商品封装 TO-220-3 包装方式 管装 商品毛重 1克(g) 数据手册 商品参数 资料纠错查看类似商品 属性参数值 商品目录 场效应管(MOSFET) 类型 1个N沟道 漏源电压(Vdss) 1kV 连续漏极电流(Id) - 导通电阻(RDS(on)) 7Ω 耗散功率(Pd) 100W...
FQD2N100TM 替代型号 型号 制造商 描述 替代类型 文档 STD3NK100Z STMICROELECTRONICS N-channel 1000V - 5.4Ω - 2.5A - TO-220 - TO-2 功能相似 STD2NK100Z STMICROELECTRONICS N-channel 1000 V, 6.25 Ω, 1.85 A, TO-220, DPA 功能相似 ...