2N7000G 场效应管 ON/安森美 批次21+ 2N7000G 80000 ON/安森美 -- ￥0.1000元100~499 个 ￥0.0800元500~999 个 ￥0.0600元>=1000 个 深圳创展世纪科技有限公司 1年 查看下载 立即询价 查看电话 QQ联系 ON/安森美 分立半导体产品 单 FET MOSFET 场效应管 2N7000 2N7000 ...
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2n7000导通电压 答案: 4.5V和10V 2N7000的导通电压为4.5V和10V。对于信号控制应用,首选导通电压为4.5V,因为此时产生的压降较小,适合只需要电压而不需要大电流的应用场景。而对于需要较大电流的电源控制应用,10V的导通电压更为合适,因为此时开关速度快,损失的能量少,开关效率高。 2N7000的技术参数 漏源电压(Vdss)...
ST Microelectronics (意法半导体) 2N7000 MOS管,其主要技术参数为:极性为N-Channel,额度电压60 V, 限定电路0.35 A,漏源极电阻1.8Ω,采用TO-92封装。 2N7000 管脚和管脚参数范围 2N7000 封装图和封装尺寸
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最小栅阈值电压0.8V最高工作温度+150 °C 最大功率耗散400 mW 2N7000引脚图 海量现货 60万+现货SKU 品类不断扩充中 闪电发货 科技智能大仓储 最快4小时发货 严控渠道 正品有保障 物料可追溯 降低成本 明码标价节省时间 一站式采购元器件
2N7000通常在低电压和低电流的情况下运行,并且具有低直流阻抗,因此可以用作开关,脉冲可以经由它的增益控制。由于其具有低阻抗和低功耗特性,2N7000场效应晶体管可以用于多种电子电路系统中,如电话交换机、无线电台和主板控制等。 2N7000场效应管的基本参数包括:关断电压、打开电压、反向漏电流、正向传导电流、静态电晕...
首先,我们来了解一下2N7000的主要参数。静态参数方面,其漏极电压(Vds)范围为20V,栅源电压(Vgs)范围为4.5V,栅极电阻(Rds(on))典型值为30mΩ。动态参数方面,2N7000的连续漏极电流(Id)为6A,脉冲漏极电流(Idm)为10A,耗散功率(Pd)为80W。 在应用领域方面,2N7000在电源供应领域表现尤为出色,可作为开关电源、线性...
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