1http://.fujielectric/products/semiconductor/2MBI150VA-120-50IGBTModulesIGBTMODULE(Vseries)1200V/150A/2inonepackageFeaturesHighspeed..
2MBI150VA-120-50是IGBT模块,具有沟槽结构,并通过在传统的NPT-IGBT的衬底和集电区之间加入一个n型掺杂附加层,这个附加层被称为电场终止(fieldstop),这样结合了 PT 和 NPT 技术的优势。该技术可使静态和动态损耗减至最小,加上 IGBT3 具有更高电流密度,它还可扩展系列产品的功率范围。硅片结温可高达175℃,运行...
日本富士igbt功率模块2MBI150VA-120-50 可控硅功率半导体模块 价格说明 价格:商品在平台的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能随着购买数量不同或所选规格不同而发生变化,如用户与商家线下达成协议,以线下协议的结算价格为准。 特别提示:商品详情页中(含主图)以文字或者图片形式标注的...
“富士东芝IGBT模块2MBI150VA-120-50”参数说明 品牌:富士型号:2MBI150VA-120-50 控制极触发电流:1稳定工作电流:1 封装外形:平底形功率特性:中功率 是否跨境出口专供货源:否种类:其他 控制方式:双向极数:其他 额定正向平均电流:1散热功能:不带散热片
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2MBi150VA-120-50产品技术参数 安装类型面板安装 长度94mm 尺寸94 x 34 x 30mm 封装类型M263 高度30mm 晶体管配置串行 宽度34mm 配置串行 通道类型N 引脚数目7 最大功率耗散785 W 最大集电极-发射极电压1200 V 最大连续集电极电流150 A 最大栅极发射极电压±20V ...
价格说明 联系我们 品牌 富士 批号 22+ 最小包装量 1 最大工作电压 1200V 最大工作电流 150A 可售卖地 全国 型号 2MBI150VA-120-50 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能随着购买数量不同或所选规格不同而发生变化,如用户与商家线下达成协...
部件名2MBI150VA-120-50 下载2MBI150VA-120-50下载 文件大小478.83 Kbytes 页6 Pages 制造商FUJI [Fuji Electric] 网页http://www.fujielectric.co.jp/eng/fdt/scd 标志 功能描述IGBTMODULE(Vseries)1200V/150A/ 2 inonepackage Features High speed switching ...
2MBI150VA-120-50 原产地 Original standard 品牌 Original standard 工作电压范围(V) 原标准 电流 原标准 配置 原标准 电压- 隔离 原标准 系列 原标准 零件号 2MBI150VA-120-50 Rohs 原件 条件 全新和原始 工作温度 标准 耗散功率 标准 应用程序 机器 电源电压 标准 装运方式 DHL/UPS/Fedex/EMS/香港邮政 ...
2MBI150VA-120-50产品类别:1200V/150A/34mm半桥 点击数:99 1200V/150A/34MM 产品详情 在线询价关于我们 公司简介 公司文化 资质证书 工厂图片 展会图片 产品中心 Chips芯片 二极管 三极管&可控硅&晶闸管 碳化硅 MOS-FET IGBT & IGBT驱动 传感器 光耦&光耦继电器...