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2MBI150U4H-120-50是IGBT模块,具有沟槽结构,并通过在传统的NPT-IGBT的衬底和集电区之间加入一个n型掺杂附加层,这个附加层被称为电场终止(fieldstop),这样结合了 PT 和 NPT 技术的优势。该技术可使静态和动态损耗减至最小,加上 IGBT3 具有更高电流密度,它还可扩展系列产品的功率范围。硅片结温可高达175℃,运...
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型号: 2MBI150U4H-120-50 封装: 模块 批号: 20+ 数量: 2096 RoHS: 是 产品种类: 电子元器件 最小工作温度: -30C 最大工作温度: 125C 最小电源电压: 4.5V 最大电源电压: 8V 长度: 9.6mm 宽度: 5.6mm 高度: 2.9mm 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生...
型号 2MBI150U4H-120 技术参数 品牌: FUJI 型号: 2MBI150U4H-120 封装: IGBT 批次: 20+ 数量: 5000 RoHS: 是 产品种类: 电子元器件 最小工作温度: -30C 最大工作温度: 80C 最小电源电压: 1V 最大电源电压: 9V 长度: 8.9mm 宽度: 8.3mm 高度: 1.6mm 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体...