二硒化钼晶体 2H-MoSe2(Molybdenum Diselenide)-N型/P型晶体尺寸 10毫米电学特性:N型/P型半导体晶体结构:六边形晶胞参数:a = b = 0.329 nm, c = 1.289 nm, α = β = 90°, γ = 120°晶体类型:合成晶体纯度:99.995% X-ray diffraction on a MoSe2 single crystal aligned along the (001) plane...
2H硒化钼MoSe2单晶,指的是其晶体结构属于六方晶系,呈现出高度的有序性和结晶度。这种单晶结构使得MoSe2具有优异的电学性能和光学性能,如高载流子迁移率、强光吸收能力等。同时,MoSe2的层间范德华力相对较弱,这也为其在实际应用中的调控和加工提供了便利。 在制备方面,获得高质量的2H硒...
进口硒化钼MoSe2晶体 性质 半导体 结构:Hexagonal 相结构:2H phase 晶胞常数a = b = 0.329 nm, c = 1.289 nm, α = β = 90°, γ = 120° 带隙 单层MoSe21.55 eV 参数 纯度:高纯 尺寸:~6 mm-10 mm 颜色:银灰色 应用半导体电子器件,光学器件等研究 ...
MoSe2(2H二硒化钼) MoSe2(2H相)是间接带隙为〜1.1eV的半导体。这些层通过范德华相互作用堆叠在一起,并且可以被剥离成薄的2D层。MoSe2属于VI族过渡金属二硫属元素(TMDC)。 2H相二硒化铬晶体具有约0.8-1厘米的典型横向尺寸,为六边形并具有金属外观。我们生产p型和n型MoSe2,在室温下具有典型的载电子密度约...
Layered 2H-MoSe2 nanosheetsSymmetric supercapacitorCapacitanceElectrochemical performanceIn this work, we report the synthesis of layered 2HeMoSe 2 nanosheets via an in-situ selenization route and investigated their electrochemical charge storage performance. The structure and morphology of the as-synthesized...
混合相1T/2H MoSe2纳米片在压电催化中的应用.pdf,本发明涉及压电催化技术领域,具体公开了混合相1T/2HMoSe2纳米片在压电催化中的应用,通过简单地调整水热温度,成功地构建了具有可调节的1T/2HMoSe2催化剂。增加MoSe2的1T相含量能增强压电效应,提高载流子的传输能力,从而
www.nature.com/scientificreports OPEN Hexagonal 2H-MoSe2 broad spectrum active photocatalyst for Cr(VI) reduction received: 02 March 2016 accepted: 27 September 2016 Published: 13 October 2016 Haipeng Chu1, Xinjuan Liu1, Baibai Liu1, Guang Zhu2, Wenyan Lei1, Huigang Du1, ...
1.本发明属于压电催化技术领域,具体涉及一种混合相1t/2h mose2纳米片在压电催化中的应用。 背景技术: 2.近几十年来,随着现代工业的快速发展,环境污染已成为主要问题。最近,基于压电材料的压电催化,正在成为解决环境问题的渐进策略。当施加机械力时,压电材料会在催化剂表面两侧产生极化的正负电荷,并在随后形成内置电...
2.根据权利要求1所述光催化剂1t/2h mose2/zis的制备方法,其特征在于,步骤1中制备zis光催化剂的方法是:将zncl2、in(no3)3和ch3csnh2按摩尔比为(0.5-1.5):(1.0-2.0):(5.0-7.0)依次溶解到去离子水中形成前驱体溶液,将所述前驱体溶液加热发生反应,反应温度70-120 ℃,反应时间1.5-3.0小时,反应结束后,冷却至...
一种光催化剂1T/2H MoSe2/ZIS及其制备方法.pdf,本发明提出了一种光催化剂1T/2HMoSe2/ZIS及其制备方法,涉及半导体光催化技术领域,包括如下步骤:步骤1、制备ZIS光催化剂;步骤2、取步骤1制备的ZIS光催化剂以及Na2MoO4·2H2O、Se粉和NaBH4按摩尔比为(0.60‑1.20):(0.05