MoS2,隶属于六方晶系,有1T,2H和3R三种晶体结构。如图1所示,1T-MoS2结构的八面体配位,具有金属性,属于亚稳态结构;2H-MoS2晶型中含有两个Mo-S单位,属于稳定态结构;3R- MoS2晶型比2H-MoS2晶型多一个Mo-S单位,即含有三个Mo-S单位,属于亚稳态结构。其中,1T相和3R相两种亚稳态在高温下可以转化为稳定的2H形...
2H硒化钼MoSe2单晶,指的是其晶体结构属于六方晶系,呈现出高度的有序性和结晶度。这种单晶结构使得MoSe2具有优异的电学性能和光学性能,如高载流子迁移率、强光吸收能力等。同时,MoSe2的层间范德华力相对较弱,这也为其在实际应用中的调控和加工提供了便利。 在制备方面,获得高质量的2H硒...
进口硒化钼MoSe2晶体 性质 半导体 结构:Hexagonal 相结构:2H phase 晶胞常数a = b = 0.329 nm, c = 1.289 nm, α = β = 90°, γ = 120° 带隙 单层MoSe21.55 eV 参数 纯度:高纯 尺寸:~6 mm-10 mm 颜色:银灰色 应用半导体电子器件,光学器件等研究 ...
二硒化钼晶体 2H-MoSe2(Molybdenum Diselenide)-N型/P型晶体尺寸 10毫米电学特性:N型/P型半导体晶体结构:六边形晶胞参数:a = b = 0.329 nm, c = 1.289 nm, α = β = 90°, γ = 120°晶体类型:合成晶体纯度:99.995% X-ray diffraction on a MoSe2 single crystal aligned along the (001) plane...
图3.(a) 2H-MoSe2和1T-MoSe2的晶体3结构原理图;氮掺杂原子分别在Hin位置,TMo位置,TSe位置以及替换位置(NSe);(c)通过氮掺杂在不同位置实现2H-MoSe2到1T-MoSe2相转变的动能能垒;(d)在具有不同N位置的相转变后1T-MoSe2获得的能量 图4.(a) LSV曲线;(b)TiC-C, 1T-MoSe2/TiC-C, 2H-MoSe2/TiC-C ...
4、二、将步骤一所得2h-mose2纳米片材料与碲粉研磨混合,在氩氢气氛(氢气5%,氩气95%)下以5-10℃/min升温速率升到450℃保温后,再升温至650-700℃,保温后即得te掺杂1t/2h相mose2负极材料。 5、根据mose2的晶体结构,mose2有2h相和1t相两个相,2h相mose2更稳定,具有三角棱柱晶格,呈现出半导体特性,1t相mose...
本发明涉及压电催化技术领域,具体公开了混合相1T/2HMoSe2纳米片在压电催化中的应用,通过简单地调整水热温度,成功地构建了具有可调节的1T/2HMoSe2催化剂。增加MoSe2的1T相含量能增强压电效应,提高载流子的传输能力,从而提高MoSe2的压电催化性能。特别是,在220℃下制备的1T相比例最高(80%)的MoSe2(MoSe2‑220)...
图1.通过掠射角沉积(GLAD)制造的MoSe2 / Mo核-壳3D层次纳米结构示意图。 (a),等离子体辅助硒化过程。插图(a1)示出了电子束蒸发的GLAD,(a2)示出了等离子体辅助的硒化处理。(b)析氢反应和电荷转移的示意图。 掠射角沉积薄膜即GLAD(Glangcing Angle Deposition),该技术制备二硒化钼/钼核壳型三维纳米结构,...
5.本发明目的在于提供一种混合相1t/2h mose2纳米片在压电催化中的应用,特定1t含量下的混合相1t/2h mose2纳米片(1t和2h是硒化钼的两种晶体结构),可实现罗丹明b的高效降解和六价铬高效还原,达到去除工业废水中有机污染物和重金属离子的目的。该催化剂稳定性好,制备方法简单高效、成本低廉、经济环保。