鉴于我国的集成电路制造企业28nm的研发和量产实力仍与全球先进水平有一定差距,如何发展HKMG工艺技术成为国内集成电路产业关注的重点。 通过以HKMG工艺技术的相关中国专利为基础,对HKMG工艺的专利布局进行分析发现该相关技术在中国的发展目前主要涉及以下特点:HKMG后栅工艺(Gate last)是目前HKMG工艺的主流工艺路线;金属栅结构...
其中,用于28nm技术节点HKMG工艺的铝抛光液已取得重大突破,通过客户验证,打破了国外厂商在该应用的垄断并实现量产,标志着公司的技术攻关水平,同时进一步完善了公司的抛光液品类。 安集科技表示,作为快速发展的市场,不同友商的出现是市场发展的自然规律,也是说明对此类市场欣欣发展的信心。在这样的市场发展格局中,首先,安集...
总结：中国28nm制程技术升级路径应聚焦HKMG工艺，特别是后栅极工艺，加强金属栅结构制造和金属栅极CMP技术等关键技术的研发与专利布局，同时防范专利侵权风险，并关注其他相关技术的提升，以实现中国28nm制程技术的新突破和全球市场竞争力的提升。
有趣的是,尽管GlobalFoundries的发言人在IDEM会上大肆宣传称其28nm工艺是基于gate-first HKMG工艺基础上的,但他又表示:“不过,我们也本着特事特办的精神,正在为满足某些来自特殊客户的特殊请求而为某些特殊产品提供基于28nm Poly/SiON制程的代工,这类产品并不需要HKMG技术带来的性能提升和漏电降低优势。”而且GlobalFou...
详解EXYNOS 4..随着晶体管尺寸的不断缩小,HKMG(high-k绝缘层+金属栅极)技术几乎已经成为45nm以下级别制程的必备技术.不过在制作HKMG结构晶体管的 工艺方面,业内却存在两大各自固执己见的不同阵营,分别是
在28nm制程下，HKMG工艺后栅极技术已经证明是最具竞争力的技术路线，我国的中芯国际、上海华力等企业采用此技术路线。从专利分析结果看，HKMG工艺后栅极技术在其重点分支（金属栅结构制造、替代栅极工艺实现技术）上已有大量专利布局，技术提升难度较大，并存在一定的专利侵权风险。已实现量产的企业考虑到成本...
本文主要讲述了28nm量产致胜关键在于HKMG。HKMG:high-k绝缘层+金属栅极。HKMG的优势:不管使用Gate-first和Gate-last哪一种工艺,制造出的high-k绝缘层对提升晶体管的性能均有重大的意义。high-k技术不仅能够大幅减小栅极的漏电量,而且由于high-k绝缘层的等效氧化物厚度(EOT:equivalentoxidethickness)较薄,因此还能有效降...
中芯国际集成电路制造有限公司(中芯国际/SMIC)2月16日宣布,28nmHKMG(高介电常数金属闸极)工艺已经成功流片。 中芯国际是中国大陆第一家能够同时提供28nmPolySiON(多晶硅)、28nm HKMG工艺的晶圆代工企业。与传统的PolySiON工艺相比,HKMG技术可有效改善驱动能力,进而提升晶体管的性能,同时大幅降低栅极漏电量。
Clifford说：“成本控制对我们而言非常重要。”2.技术因素： 从技术角度看，在IEDM会展期间，高通技术主管P.R. Chidambaram则在一份描述其28nm技术的文件中称，如果某种用于制作HKMG的工艺无法为沟道提供足够的沟道应变力，那么采用这种工艺制造出来的晶体管其性能便无法比采用传统poly/SiON+强效沟道硅应变...
台湾台积电(TSMC)在IEDM 2008上,发布了28nm级工艺技术(演讲序号:27.2)。该公司首次采用了high-k及金属栅极(HKMG)技术,“28nm级工艺技术的开发正在面向量产顺利推进之中”(该公司的演讲人员)。至此,大型半导体制造厂商在将HKMG作为新一代技术的问题上实现了步调一致。