22NM60NSTF22NM60N全新 进口现货 TO-220F 650V 16A 电子元器件 深圳市跃芯源电子有限公司2年 月均发货速度:暂无记录 广东 深圳市福田区 ¥5.40 STF22NM60NST/意法 原装现货 封装TO-220F22NM60NMOS场效应管 深圳市凯富欣科技有限公司12年 月均发货速度:暂无记录 ...
22NM60NSTW22NM60NTO-247 600V 16A 库存现货 电子元器件 深圳市煌城电子有限公司2年 月均发货速度:暂无记录 广东 汕头市潮南区 ¥1.75 MOS管STW22NM60Nstw22nm60nTO-247-3 深圳市优泰诚科技有限公司4年 月均发货速度:暂无记录 广东 深圳市福田区
1. 开关电源(SMPS):STW22NM60N在开关电源中,用于电源变换器,负责高频开关操作,提供高效的电能转换。其高耐压特性和低导通电阻使其在高功率应用中表现优异。 2. 逆变器:在太阳能光伏系统和风力发电系统中,STW22NM60N用于逆变器中,将直流电转换为交流电。它的高效率和低损耗特性有助于提高整体系统的能源转换效率。
其低导通电阻和高漏极电流能力确保了在高负载条件下的稳定性和效率。 22NM60N-VB TO263 通过在多种高压高性能应用中的广泛应用,展示了其作为高性能 MOSFET 的优越性能,为工程师提供了一种可靠的解决方案。
型号: STB22NM60N 封装: NA 数量: 3000 制造商: STMicroelectronics 产品种类: MOSFET RoHS: 是 安装风格: SMD/SMT 封装/ 箱体: TO-263-3 通道数量: 1 Channel 晶体管极性: N-Channel Vds-漏源极击穿电压: 600 V Id-连续漏极电流: 10 A Rds On-漏源导通电阻: 220 mOhms Pd-功率耗散: 125 W 配置...
### 二、22NM60N-VB TO247 详细参数说明 - **封装形式**:TO247 - **配置**:单N沟道 - **漏源极电压 (VDS)**:650V - **栅源极电压 (VGS)**:±30V - **阈值电压 (Vth)**:3.5V - **导通电阻 (RDS(ON))**:160mΩ @VGS = 10V ...
STF22NM60N是一款场效应晶体管(FET),具有广泛的应用场景和参数特点。 一、应用场景: 1. 电源:STF22NM60N在开关电源中具有重要作用。其低导通电阻和高速开关特性使其成为功率开关电源的理想选择。 2. 驱动器:在电机驱动器中,STF22NM60N可以用作驱动电路的一部分,确保电机运行的高效性和稳定性。
STF22NM60N由ST(意法半导体)设计生产,立创商城现货销售。STF22NM60N价格参考￥4.85。ST(意法半导体) STF22NM60N参数名称:类型:1个N沟道;漏源电压(Vdss):650V;连续漏极电流(Id):16A;导通电阻(RDS(on)):220mΩ@10V,8A;耗散功率(Pd):30W;阈值电压(Vgs(th)):3V;栅
STP22NM60N 由ST 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 digikey 等渠道进行代购。 STP22NM60N 价格参考￥ 5.9956 。 ST STP22NM60N 封装/规格: SOT78, MOSFET N-CH 600V 16A TO-220。你可以下载 STP22NM60N 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路...
部件名STW22NM60N 下载STW22NM60N下载 文件大小994.47 Kbytes 页23 Pages 制造商STMICROELECTRONICS [STMicroelectronics] 网页http://www.st.com 标志 功能描述N-channel600V,0.2廓, 16 AMDmesh??IIPowerMOSFET Description These devices are made using the second generation of MDmesh™ technology. This revolut...