今天分享网上流传很广的22nm FinFET process flow. 严格来说工艺节点进入20nm以下才会用到FinFET工艺(下期会继续分享22nm Planar process flow),但以I公司为代表的在22nm工艺节点就用到此工艺。像T和S公司都是在16nm/14nm才用到FinFET工艺。 1. Screen Oxide Growth 首先是P型衬底上面有一层外延生长的Si,厚度...
22nm逻辑平面型flow已经完工,接下来就要进入finfet的领域,在Course hero上看到一篇介绍22nm finfet材料, 开个坑,下周开始慢慢写,慢慢更新。 随着尺寸的微缩,需要引入更多新的技术来提升CMOS的电学性能。Inte…
曝光,Amorphous carbon做为Hard Mask一直向下etch,P/N-Well 区域都留下Amorphous silicon的形状做为gate,实际上这是dummy gata,后面会remove,在填充high k介质和金属gate。 18. 2nd Gate Electrode Patterning 这一步主要是把右边多余的dummyGate去掉。 19. Offset Spacer Deposition 接下来先通过热氧化生成一层poly ...
然后沉积一层厚厚的PSG(Phospho-Silicate Glass),这一层的作用是充当PMD(Pre-Metal-Dielectric),然后用CMP抛光,dummy gate上面的Nitride spacers 将被磨掉,露出里面的amorphous silicon。 38. Polysiliocn Gate Removal 然后通过etch将dummy gate 里的amorphous silicon移除,etch会停留在Fin上面的Oxide ESL。 39. Oxi...
曝光,Amorphous Carbon作为Hard Mask一直向下etch,P/N-Well区域都留下Amorphous Silicon的形状做为gate,实际上这是dummy gate,后面会remove,在填充High-K介质和金属gate。 18. 2nd Gate Electrode Patterning 这一步主要是把右边多余的dummy gate去掉。 19. Offset Spacer Deposition ...
上篇主要介绍了Fin的形成,接下来继续讲解。 20. NMOS Extension Implant 铺上PR和BARC,然后进行litho和etch,使NMOS区域暴漏出来,再进行砷离子注入,使fin的表面形成一层Extension Implant区域。21. PMOS Extension Implant 同理在PMOS区域进行硼离子注入。22. Exte...
今天分享另一篇网上流传很广的22nm 平面 process flow. 有兴趣的可以与上一篇22nm gate last FinFET process flow 进行对比学习。 言归正传,接下来介绍平面工艺最后一个节点22nm process flow。 Pad Oxide Growth 首先是P型衬底上面有一层外延生长的Si,然后再生长一层Pad Oxide。此氧化层充当后面SiN和底层硅表面之...
今天分享另一篇网上流传很广的22nm 平面 process flow. 有兴趣的可以与上一篇22nm gate last FinFET process flow 进行对比学习。 言归正传,接下来介绍平面工艺最后一个节点22nm process flow。 Pad Oxide Growth 首先是P型衬底上面有一层外延生长的Si,然后再生长一层Pad Oxide。此氧化层充当后面SiN和底层硅表面之...
w 22nm Gate Last FinFET Process Flow 介绍(中) 上篇主要介绍了 Fin 的形成,接下来继续讲解。 20. NMOS Extension Implant 铺上 PR 和 BARC,然后进行 litho 和 etch,使 NMOS 区域暴漏出来,再进行砷离子注入,使 fin 的表面形成一层 Extension Implant 区域。
22nm平面工艺流程介绍 今天分享另一篇网上流传很广的22nm 平面process flow. 有兴趣的可以与上一篇22nm gate last FinFET process flow 进行对比学习。 言归正传,接下来介绍平面工艺最后一个节点22nm process flow。 2023-11-28 10:45:51 锐成芯微宣布在22nm工艺上推出双模蓝牙射频IP 2023年1月13日,知名物理IP...