20N60C3场效应管的参数包括:结电压(Vgs)为2.5V至3.5V,电流承受能力(Id)为100mA至2A,工作频率(F)为20MHz至100MHz,表面温度(Tjs)为70°C至120°C,可靠性系数(K)为3至5。此外,它还具有较高的放大倍数(β),可达100以上,较小的栅极电荷(Qg),可达10fg以下,较低的正向电压(Vf),可达0.2V以下,以及较高的...
2on60c3 参数是20A 650V
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40A/600v、20N60S5。20n60c3三极管的参数是40A/600v，可以用参数是40A/650V的三极管20N60S5来代换，SPW20N60C3，采用TO-247封装方式，基本参数：SPW20N60C3，采用TO-247封装方式。
SPP20N60C3封装/规格:配置/单路:阈值电压/3.9V@1mA:晶体管类型/N沟道:功率耗散/208W:额定功率/208W:反向传输电容Crss/50pF:栅极源极击穿电压/±20V:击穿电压/650V:极性/N-沟道:元件生命周期/Active:引脚数/3Pin:高度/13.50mm:长x宽/尺寸/10.00 x 4.45mm:认证信息/RoHS:原产国家/Germany:原始制造商/...
20n60c3场效应管参数功率 208W。20n60c3场效应管参数功率是208W,在高压MOS管能够让AC/DC开关电源芯片保持稳定工作,从而让开关电源保持输出电源稳定。20n60c3大管和小管功能是一样的,因为20n60c3无论大管还是小管都是场效应管管子。
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FGA25N120ANTD代换20N60C3 20N60C3的主要参数是:Vces=600V、Ic=20A、Po=164W,而FGA25N120ANTD的主要参数是:Vces=1200V、Ic=50A、Po=150W,只从主要参数看是没有问题的。不过FGA25N120ANTD的C、E之间有保护二极管的,应该注意。