20N60场效应管的详细参数如下: 一、基本电气参数 型号:20N60 最大漏源电流(ID):20A 漏源击穿电压(VDS):600V 栅源电压(VGS):30V 静态漏源导通电阻(RDS(ON)):0.4Ω(最大值) 功耗(PD):239W 二、其他重要参数 二极管正向电压(VSD):1.4V 输入电容(Ciss):3520pF 二极管反向恢复时间(trr):530nS 反向恢复...
20n60场效应管的参数主要有关于功率放大能力、频率特性、噪声特性以及其它功能特性。 1、功率放大能力 功率放大能力是20n60场效应管参数中最重要的一个参数,它决定着20n60场效应管所能放大的最大信号输入和输出功率。 它有三个参数,分别是负载阻抗、输入功率以及输出功率。 负载阻抗即20n60场效应管的负载电阻,它...
20n60场效应管参数 20n60场效应管参数：20Nm0：正温度系数（负温度系数为-0.1），放大倍数=1.15×10-6/°C，输入电阻=10KΩ。企业名片 20Nm1：正温度系数（负温度系数为-0.2），放大倍数=1.16×10-6/°C，输入电阻=10KΩ。20Nm2：负温度系数（正 温度系数为-0.4），放大倍数=1.18×10-7/°C...
20N60场效应管是一款针对高电压和大电流应用设计的器件，其主要参数如下：首先，该管子支持的电流规格为20安培（A），能够在600伏特（V）的电压下稳定工作。N通道IGBT的特点使其适用于需要高电压驱动的电路中，它的集电极-发射极击穿电压为600V，保证了器件的耐压能力。在脉冲电流方面，集电极脉冲电流可以...
20n60场效应管的主要参数包括：最大漏源电压Vdss为600V，最大漏极电流Id为20A，以及一个较低的导通电阻Rds。20n60场效应管是一种常用的电力电子器件，其参数对于理解和应用该器件至关重要。最大漏源电压Vdss是指场效应管在正常工作条件下，漏极与源极之间所能承受的最大电压。对于20n60来说，这个...
20n60场效应管的参数主要包括漏源电压Vdss为600V，连续漏极电流Id为20A，以及脉冲漏极电流Idm的峰值为80A。首先，让我们详细解释这些参数。漏源电压Vdss，即场效应管在工作时能够承受的最大电压差，对于20n60来说，这个值是600V。这意味着，在场效应管工作时，其漏极和源极之间的电压差不能超过600...
20N60场效应管是一种高性能的半导体器件，具有多种关键参数。其主要参数包括：电流与电压特性**：最大漏源电流可达20A，漏源击穿电压高达600V，这使得它在高电压、大电流的应用场合中表现出色。导通电阻**：RDS(ON)在特定条件下（如VGS=10V时）的典型值为0.3Ω，最大值可达0.4Ω或0.42Ω，这...
结论：20N60场效应管是一款特别设计的电子元件，其主要参数如下：这款N通道IGBT管的最大特点是其集电极-发射极击穿电压高达600V，能够承受较高的电压。它的集电极电流能力为45A，这意味着在正常工作条件下，它能稳定提供20A的持续漏极电流（在25℃时）。在温度升高到100℃时，漏极电流会降低至12.5A。
20n60场效应管参数主要包括漏源电压VDSS为600V，连续漏极电流ID为20A，脉冲漏极电流IDM的峰值为80A，栅源电压VGS最大值为4V，输入电容Ciss典型值为3660pF，输出电容Coss典型值为75pF，反向传输电容Crss典型值为60pF，极间电容典型值为110pF，低电平开启电压VGS为2~4V等。接下来，我将对这些参数进行...