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20N50G-T3P-T-VB 是一款单N沟道MOSFET,封装形式为TO3P,采用了SJ_Multi-EPI技术,具有高压(600V)和高电流(20A)处理能力。该器件在10V栅极驱动电压下具有190mΩ的导通电阻,适用于高压应用场合,如电动汽车充电桩、工业电源、UPS系统等,具有良好的热稳定性和高可靠性。 ### 二、20N50G-T3P-T-VB 详细参数说明...
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商品参数 资料纠错查看类似商品 属性参数值 商品目录 场效应管(MOSFET) 类型 1个N沟道 漏源电压(Vdss) 500V 连续漏极电流(Id) 20A 导通电阻(RDS(on)) 260mΩ@10V,4.5A 属性参数值 耗散功率(Pd) 250W 阈值电压(Vgs(th)) 4V@250uA 输入电容(Ciss@Vds) 2.55nF@25V 反向传输电容(Crss) 27pF@25V ...
产品种类 MOSFET RoHS 是 安装风格 Through Hole 封装/ 箱体 TO-247-3 晶体管极性 N-Channel 通道数量 1 Channel Vds-漏源极击穿电压 500 V Id-连续漏极电流 20 A Rds On-漏源导通电阻 270 mOhms Vgs - 栅极-源极电压 - 30 V, + 30 V Vgs th-栅源极阈值电压 3 V Qg-栅极电荷...
全新原装SPB18P06PG TO-263 P沟道 60V 18.7A 贴片MOSFET场效应管 ￥2.76成交0PCS 深圳市英派尔半导体实业有限公司 empireic|1年 | 主营产品:集成电路;IC;三极管;场效应管;肖特基;快恢复;可控硅;IGBT;达林顿;电源管;稳压集成块;光电藕合器 所在地:汕头市潮南区 洋内工业区 ...