杂质半导体(1)两种杂质半导体:N型---掺入微量五价元素;P型---掺入微量三价元素。(2)两种浓度不等的载流子:多子---由掺杂形成,少子---由热激发产生。(3)一般情况下,只要掺入极少量的杂质,所增加的多子浓度就会远大于室温条件下本征激发(观看___动画)所产生的载流子浓度。所以,杂质半导体的导电率高。(4)...
多子是自由电子,少子是空穴。N型半导体呈电中性。 (2)P型半导体 本征半导体中,掺入微量的三价元素构成 多子是空穴,少子是自由电子。P型半导体呈电中性。 在杂质半导体中,多子浓度主要取决于掺入杂质的浓度, 大。而少子由本征激发产生,其浓度主要取决于温度,温度越高,少子浓度越大。
空穴是半导体中由于电子缺失而形成的带正电的“空位”,它们也可以作为载流子参与导电,但在n型半导体中,空穴的浓度远低于电子,因此被称为少子。 二、p型半导体中的多子与少子 与n型半导体相反,p型半导体是通过掺入三价元素(如硼、铝等)来实现的,这使得半导体中的空穴浓度大于电子浓度。在p型半导体中: 多子:指的...
1、多子:扩散运动——在浓度梯度的作用下运动,形成势垒(耗尽层/阻挡层),此空间电荷区即为PN节,最终阻止扩散运动的进一步进行 2、少子:漂移运动——势垒之于少子的效果恰好相反,故少子会产生漂移运动,但及其微弱,漂移运动是确保扩散运动持续进行(即便有势垒,扩散运动依旧微弱地进行)的情况下不至于将所有载流子耗尽,二...
【简答题】在本征半导体中加入()价的元素得到P型半导体。 查看完整题目与答案 【简答题】铜铟镓硒材料是一种( )带隙半导体。(填“直接”或“间接”) 查看完整题目与答案 【单选题】混凝土拌和时或拌和前掺入的一般不大于水泥质量( )的外加剂能显著改善混凝土的性能。 A. 8% B. 5% C. ...
,N型半导体是由本征半导体中掺入价元素形成,其多数载流子是,少数载流子是。2,PN结也称电荷区,他们产生的电场为,该电场有利于(多子、少子)运动,不利于(多子,少子)运动
本征半导体掺入微量的五价磷元素,则形成 [填空(1)] 型半导体,其多子为 [填空(2)] ,少子为 [填空(3)] 。A.N型半导体B.自由电子C.空穴
2、以下半于杂质半导体,说法不正确的是<br/> A、N型半导体中多子是电子,少子是空穴<br/> B、P型半导体可以掺磷(P)得到<br/> C、P型半导体主要靠空穴导电<br/> D、向硅中掺入施主杂质可以得到N型半导体
P(N)型半导体的多子、少子 正确答案 由于N型半导体中自由电子多于空穴,所以自由电子为N型半导体的多数载流子(多子);空穴则是N型半导体的少数载流子(少子)。 答案解析 略 真诚赞赏,手留余香 小额打赏 169人已赞赏
N型硅片是指将硅片掺杂一定量的杂质,使其成为N型半导体材料。在N型硅中,主要的载流子是电子,而空穴则是相对较少的载流子,因此被称为少子。N型硅的少子是空穴,这意味着它们可以在半导体中自由移动,从而增加了半导体的导电性能。因此,N型硅片在半导体制造中扮演着重要的...