本发明公开了一种无残留光学光刻胶石墨烯场效应晶体管的制备及原位表征方法,其中制备方法包括:将生长的石墨烯转移至半导体衬底表面,在石墨烯表面旋涂光学光刻胶,对石墨烯进行光刻,得到图形化的石墨烯;将图形化的石墨烯再次浸入显影液中,直至残留光刻胶完全溶解;在图形化的石墨烯表面沉积与光学光刻胶能选择性溶解的...