通过分析,研究人员发现该能隙不同于自旋轨道耦合(SOC)带隙,它是由于电子-电子相互作用而打开的库仑能隙。库仑能隙的打开可以有效地抑制WTe2体电导的干扰,导致低温下的绝缘性行为。 同时,库仑能隙对边缘态并没有影响,从而更容易观察到量子化的拓扑边界态电导。该研究成果以题为“Observation of Coulomb gap in the...
单层1T′-WTe钛酸锶分子束外延扫描隧道显微镜电子结构应变二维层状过渡金属硫族化合物(Transition metal dichalcogenides,TMDs)材料因其具有能隙而被认为是可超越石墨烯的新型量子薄膜材料,从而激起了新一轮的研究热潮.二碲化钨(WTe2)属于TMDs的一种,近年来其新奇的物理,化学和量子特性被广泛研究,当薄膜厚度减小至单层...
然而,虽然1T'-WTe2和1T'-MoTe2是一种稳定相,但其二维体相并不具有明显的体能隙。而1T'-WSe2和1T'-MoSe2又不是一种稳定相,因此其单一纯相的制备存在着极大的挑战。 南京大学张翼课题组在利用分子束外延技术进行二维材料的高质量制备与物性调控方面有着深厚的积累:2019年,通过对石墨烯上生长的1T'-WSe2的...
2018年实验上报道通过删极电压调控手段在单层1T’-WTe2中引入电子型载流子可以在该体系中实现超导,此外超导态的上临界场表现出巨大的面内外的各向异性,并且不受泡利顺磁极限的约束。如何理解删极电压调控单层1T’-WTe2的超导电性的机理以及超导态的特性是一个重要的科学问题。 研究人员通过第一性原理计算以及解析理论...
(0001)衬底时,发现外延的单层WTe2与衬底间呈现为弱耦合状态,且在低温条件下存在有非公度的电荷密度调制.后续的实验以此为基础,借助于STS技术,发现Bilayer Graphene/SiC(0001)衬底表面单层1T'-WTe2体能态具有约20-40mV的能隙,且存在有拓扑边界态,同时针对于不同层数WTe2电子态密度的演变,发现随着层厚的增加WTe2...
Notably, it is twice as large as that of the related 2D TI WTe217. The thermal energy kBT is 25 meV at room temperature, and semiconductors must have a gap greater than about 4kBT = 100 meV in order to be useful. Based on this criterion, 1T′ WSe2 would be an excellent...
电子工程系的许建斌教授(共同通讯作者)合作通过使用普通盐(NaCl或KCl)作为生长促进剂,结合低成本可溶性钼酸铵四水合物(NH4)6Mo7O24•4H2O和钨酸铵水合物(NH4)10W12O41•xH2O分别作为Mo源和W源,使用常压化学气相沉积(APCVD)方法,生长出高质量、大面积单层和少层1T’相MoTe2(长度〜1mm)和WTe2(长度〜350...
由于1T′和1H之间的能垒较低,通过控制碲化速度,可以很容易地使用CVD生长MoTe2和WTe2,如图8a所示。在快速碲化过程中,沉积膜中内置的应变或富Te空位稳定了1T′相碲化物。此外,前驱体影响TMD结构。采用旋转镀膜的方法,将含有钼酸钠...
monolayer 1T'-WTe2 Shujie Tang1,2,3,4,5†, Chaofan Zhang1,2†, Dillon Wong6, Zahra Pedramrazi6, Hsin-Zon Tsai6, Chunjing Jia1,2, Brian Moritz1, Martin Claassen1, Hyejin Ryu3,7,8, Salman Kahn6, Juan Jiang3,5,9, Hao Yan1,2, Makoto Hashimoto10, Donghui Lu10, Robert G....
1T'-WS2与空气敏感的拓扑绝缘体1T'-WTe2等结构。印刷的薄膜在室温下为金属,在7.3 K以下为超导,在面内和面外上临界磁场为30.1和5.3 T时表现出强烈的各向异性非常规超导行为,并且在环境条件下至少稳定30天。本文的研究结果表明,化学处理可以使以前只在实验室研究的非平凡2D材料成为商业可用。