量子自旋霍尔效应通常存在于二维拓扑绝缘体中, 其具有受拓扑保护的无耗散螺旋边界态. 2014年, 理论预言单层1T' 相过渡金属硫族化合物是一类新型的二维量子自旋霍尔绝缘体. 其中, 以单层1T'-WTe 2为代表的材料体系具有原子结构稳定、体带隙显著、拓扑性质易于调控等许多独特的优势, 对低功耗自旋电子器件的发展具有...
单层1T′-WTe钛酸锶分子束外延扫描隧道显微镜电子结构应变二维层状过渡金属硫族化合物(Transition metal dichalcogenides,TMDs)材料因其具有能隙而被认为是可超越石墨烯的新型量子薄膜材料,从而激起了新一轮的研究热潮.二碲化钨(WTe2)属于TMDs的一种,近年来其新奇的物理,化学和量子特性被广泛研究,当薄膜厚度减小至单层...
然而,虽然1T'-WTe2和1T'-MoTe2是一种稳定相,但其二维体相并不具有明显的体能隙。而1T'-WSe2和1T'-MoSe2又不是一种稳定相,因此其单一纯相的制备存在着极大的挑战。 南京大学张翼课题组在利用分子束外延技术进行二维材料的高质量制备与物性调控方面有着深厚的积累:2019年,通过对石墨烯上生长的1T'-WSe2的...
结合低成本可溶性钼酸铵四水合物(NH4)6Mo7O24•4H2O和钨酸铵水合物(NH4)10W12O41•xH2O分别作为Mo源和W源,使用常压化学气相沉积(APCVD)方法,生长出高质量、大面积单层和少层1T’相MoTe2(长度〜1mm)和WTe2(长度〜350μm)晶体。
Notably, it is twice as large as that of the related 2D TI WTe217. The thermal energy kBT is 25 meV at room temperature, and semiconductors must have a gap greater than about 4kBT = 100 meV in order to be useful. Based on this criterion, 1T′ WSe2 would be an excellent...
由于1T′和1H之间的能垒较低,通过控制碲化速度,可以很容易地使用CVD生长MoTe2和WTe2,如图8a所示。在快速碲化过程中,沉积膜中内置的应变或富Te空位稳定了1T′相碲化物。此外,前驱体影响TMD结构。采用旋转镀膜的方法,将含有钼酸钠...
By using the quasiparticle interference technique with scanning tunneling spectroscopy, we demonstrate that the QSH candidate single-layer 1T’-WTe2 has a semimetal bulk band structure with no full SOC-induced gap. Surprisingly, in this two-dimensional system, we find the electron–electron ...
1T'-WS2与空气敏感的拓扑绝缘体1T'-WTe2等结构。印刷的薄膜在室温下为金属,在7.3 K以下为超导,在面内和面外上临界磁场为30.1和5.3 T时表现出强烈的各向异性非常规超导行为,并且在环境条件下至少稳定30天。本文的研究结果表明,化学处理可以使以前只在实验室研究的非平凡2D材料成为商业可用。
一、将含过渡金属元素M的前驱体化合物、硫属元素X的单质或含硫属元素前驱体化合物、以及还原剂A按摩尔比例M:X:A=1:2:(2～10)混合,在室温下将混合物分散于去离子水中,充分搅拌后得到混合溶液; 二、将步骤一得到的混合溶液转移至密封容器中,以恒定温度加热密封容器进行水热反应,反应结束后停冷却至室温,收集、...
TiSe2单晶硒化钒VSe2单晶二硫化钨WS2单晶二碲化钨WTe2单晶二硒化钨WSe2单晶二碲化钛TiTe2单晶二硫化铼ReS2单晶黑磷Black Phosphorus单晶2H硒化钼MoSe2单晶硫化锗GeS单晶合成二硫化钼MoS2单晶二硒化钽TaSe2单晶二硒化铼ReSe2单晶硫化砷As2S3单晶硫化铋Bi2S3单晶碘化镉CdI2单晶硫化铜CuS单晶碲化镓GaTe单晶钼硫硒合金...