The single-channel galvanically isolated gate driver IC 1EDF5673F is a perfect fit for enhancement mode (e-mode)gallium nitride (GaN) HEMTswith non-isolated gate (diode input characteristic) and low threshold voltage, such asCoolGaN™. It ensures robust and highly efficient high voltage GaN ...
制造商编号1EDF5673F 制造商Infineon(英飞凌) 唯样编号A-1EDF5673F 供货自营 无铅情况/RoHs无铅/符合RoHs 描述 数据手册 PDF资料下载 暂无数据 参数信息常见问题 参数有误? 技巧:勾选主要参数,留空一些可替代的参数,点击查看相似商品,即可快速找到替代品了!
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1EDF5673F Translation_Bot Community Manager 3 九月 2024 查看原创内容: English | 原作者: leslie 这是机器翻译的内容 是什么原因导致栅极驱动器1EDF5673F的Vgs过冲,为什么两个半桥器件尽管具有相同的电路和元件,但其Vgs却不同? 下面是我的原理图和波形图。如何使Vgs超过0.9V? 已解决! 转到解答。Like...
我知道 1EDF5673F 是零件编号,而 1EDF5673Fxuma1 是可订购零件编号 (OPN)。 OPN 是带有 5 位扩展数字后缀的零件编号,可以告诉您更多有关产品属性的信息。 请参考以下链接了解有关零件编号和 OPN 的更多信息。 https://www.linkedin.com/pulse/why-part-number- Different-from-one-i-ordered-frank-zhang/ ...
1EDF5673FXUMA1 封装形式 SMD 导电类型 双极型 封装外形 扁平型 加工定制 否 批号 21 数量 5000 封装 PG-DSO-16 批号 21 GaN EiceDRIVER?IC具有出色的稳健性和效能,非常适合驱动GaN HEMT 新型单通道电隔离栅极驱动器IC组件1EDF5673F非常适合增强型GaN HEMT。 它具有非隔离栅极(二极管输入特性)和低阈值电压, ...
1EDF5673FXUMA1 手册 1EDF5673KXUMA1 元件 已售少于100 ￥27.08点击查看更多配送: 广东广州至 阳泉城区 快递: 380.00现货,付款后48小时内发货 保障:7天无理由退货 参数:颜色分类:1EDF5673FXUMA1查看更多 用户评价 参数信息 图文详情 本店推荐 用户评价 参数信息 品牌 tt 颜色分类 1EDF5673KXUMA1,1EDF5673F...
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1EDF5673F 厂商: EUPEC(英飞凌) 封装: SOP-16 描述: 数据手册: 下载1EDF5673F.pdf 立即购买 数据手册 价格&库存 1EDF5673F 数据手册 切换侧栏 查找 上一页 下一页 / 37 演示模式打开当前在看 缩小 放大 自动缩放实际大小适合页面适合页宽50%75%100%125%150%200%300%400%...
650 V synchronous Boost converter using gate driver IC GaN EiceDRIVER™1EDF5673F efficiently driving gallium nitride (GaN) HEMTs CoolGaN™ and similar GaN switches require a continuous gate current of a few mA in their "on" state. Besides, ...