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SPD18P06P G 全新原装 JD068-DEP 场效应管 TO-252 P -60V -18.6A 深圳市金东微科技有限公司7年 月均发货速度:暂无记录 广东 深圳市龙岗区 ¥0.40 SPD18P06P G 贴片TO-252 -60V -18.6A P沟道MOS场效应管 热销现货 深圳市诚利电子科技有限公司6年 ...
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SPD18P06P全新原装INFIHEON TO-252 晶体管 MOS管 合科电子(深圳)有限公司1年 月均发货速度:暂无记录 广东 深圳市 ¥1.00 SPD18P06PG TO-252全新原装P沟道MOSFET场效应管 60V 深圳市芯钰同电子有限公司3年 月均发货速度:暂无记录 广东 深圳市 ¥0.40 ...
FET 类型: P 通道 漏源电压(Vdss): 60V Vgs(最大值): ±20V 功率耗散(最大值): 80W(Tc) 工作温度: -55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 SPD18P06P 场效应管 Infineon(英飞凌) 批次24+ 价格说明 价格:商品在平台的展示...
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SPU18P06P 规格参数 是否Rohs认证: 符合 生命周期: Obsolete 零件包装代码: TO-251 包装说明: IN-LINE, R-PSIP-T3 针数: 3 Reach Compliance Code: compliant ECCN代码: EAR99 Factory Lead Time: 1 week 风险等级: 5.34 其他特性: AVALANCHE RATED 雪崩能效等级(Eas): 150 mJ 配置: SINGLE WITH BUILT-...
18P06P-VB TO220是一款P-Channel沟道TO220的MOSFET晶体管,封装为TO220,单极性配置。其工作电压范围为-60V至+20V(±5V),阈值电压为-1.7V。RDS(ON)在4.5V和10V时的阻值为74mΩ和62mΩ。电流额定值为-40A。技术类型为Trench。 点赞(0) 踩踩(0) 反馈 所需:1 积分 电信网络下载 ...
18P06P-VB TO252是一款采用单极性沟道(P-Channel)结构的TO252封装的MOSFET晶体管。它具有以下参数: - Package:TO252,表示该晶体管采用TO252封装形式。 - Configuration:Single-P-Channel,表示该晶体管为单极性沟道结构。 - VDS:-60V,表示该晶体管的最大漏源电压(VGS)为20V时,漏极电流为-35A时的静态功耗。
综合元器件 Infineon SPD18P06PGBTMA1 数量 香港价格 国内价格 1+ $1.68852 ￥14.03337 10+ $1.15382 ￥9.58947 100+ $0.77240 ￥6.41945 500+ $0.60868 ￥5.05878 1000+ $0.55601 ￥4.62104 DigikeyRsChip1stopTmeVerical 交货地: 1国内(含增税) 交期(工作日): 7-18 1香港交期(工作日): 5-16 ...