场效应管12n60参数 场效应管12n60参数 场效应管12n60的耐压值可达600V ，具备较高承受电压能力。其漏极电流最大值为12A ，能满足一定负载电流需求。导通电阻典型值约为0.5Ω ，影响着电路的功率损耗。工作温度范围在 -55℃到150℃ ，适应多种环境温度。栅极电荷约为48nC ，关系到管子的开关速度。输入电容...
下降时间:如KIA12N60H为90ns 耗散功率:通常为231W左右 热电阻:一般为62.5℃/V(具体值可能因型号而异) 雪崩能量:如KIA12N60H为865mJ 工作结温:-55℃~150℃(具体范围可能因型号和应用而异) 这些参数共同决定了12N60场效应管的性能特点和应用范围,它通常用于高压、高速功率开关应用,如开关电源、LED驱动、储能...
12n60nz 的连续漏极电流(ID(DC))一般可达 12A。这个参数反映了场效应管能够承载的电流大小,在选择场效应管时,需要根据电路中实际需要通过的电流大小来确定是否合适。如果电路中的电流超过了 12n60nz 的额定漏极电流,场效应管可能会因为过热而损坏。例如在一些功率放大电路中,需要根据负载所需的功率来计算电流大小...
1. 在某些应用场合下,12N60C场效应管可以替代BT134。特别是在需要更高电流承载能力的场景中,12N60C具有明显的优势。 2. 然而,由于两者的工作原理和参数特性存在差异,因此并非所有应用场合都适合进行替代。在具体应用中,需要综合考虑电路设计要求、...
一、12N60C场效应管参数解读 12N60C场效应管,作为一种常用的电子元件,在电子设备中有着广泛的应用。了解其详细参数对于正确使用和评估其性能至关重要。 1. 额定电压与电流:12N60C的额定电压通常为600V,这意味着该管子可以在最高600V的电压下安全工作。其额定电流...
型号:LNE12N60 类型:N沟道场效应管 耗散功率(PD):150 W 漏极电流(ID):【管壳温度(Tc)=25 ℃】12 A 漏极和源极电压(VDSS):600 V 漏极和源极通态电阻(RDS(on)):0.75 Ω 封装:TO-263 更多N沟道场效应管2SK3566TK80E08K3IXTM4N100IXTA460P2STB20N65M5IRF620JCS5N50RT3SK295H5N2501LDLNL04R...
12n60场效应管参数,KIA12N60H参数资料 KIA12N60H场效应管专为高压、高速功率开关应用而设计,可以替代12N60型号应用在开关电源、LED驱动、储能电源中;漏源击穿电压600V,漏极电流12A,RDS(on)= 0.53Ω @ VGS=10V,低导通电阻,超低栅极电荷52nC,高效率低损耗;具有快速切换能力、改进的dv/dt能力、指定的雪崩能量...
12N60C可以代换2N60的。2N60是功率场效应管参数是：硅、500V、2A、55W、RDS（on）≤5．1Ω、带阻尼；12N60C也是功率场效应管，参数：硅、600V、12A、51W、RDS（on）＝0．65Ω、带阻尼。所以12N60C是可以代换2N60的。场效应管是电压控制元件，而晶体管是电流控制元件。在只允许从信号源取较少...
12n60u场效应管参数 12n60u场效应管参数是:。功率场效应管参数是:硅、500V、2A、55W、RDS(on)≤5.1Ω、带阻尼。12N60C也是功率场效应管,参数:硅、600V、12A、51W、RDS(on)=0.65Ω、带阻尼。
12N60C可以代换2N60的。2N60是功率场效应管参数是：硅、500V、2A、55W、RDS（on）≤5．1Ω、带阻尼；12N60C也是功率场效应管，参数：硅、600V、12A、51W、RDS（on）＝0．65Ω、带阻尼。所以12N60C是可以代换2N60的。场效应管是电压控制元件，而晶体管是电流控制元件。在只允许从信号源取较少...