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12N10是一种N沟道MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)场效应管。它具有以下主要参数: 1.额定电压(Vds):12N10的额定电压是10V,即在正常工作条件下,其漏极与源极间的电压应保持在10V以下,超过该电压可能会导致器件损坏。 2.最大漏极电流(Ids):12N10的最大漏极电流为12A,即在正常工作条件...
型号 12N10 封装 TO-252 批号 110 FET类型 MOS场效应管 漏源电压(Vdss) 100V 漏极电流(Id) 12A 漏源导通电阻(RDS On) 咨询客服 栅源电压(Vgs) 咨询客服 栅极电荷(Qg) 咨询客服 反向恢复时间 咨询客服 最大耗散功率 咨询客服 配置类型 咨询客服 工作温度范围 咨询客服 安装类型 咨询客...
12N10场效应管的参数包括:漏极电流(ID)、漏极-源极电压(VDS)、栅极-源极电压(VGS)、漏极-源极电阻(RDSon)等。其中,漏极电流是指当栅极-源极电压为零时,漏极电流的数值;漏极-源极电压是指场效应管工作时,漏极和源极之间的电压差;栅极-源极电压是指场效应管工作时,栅极和源极之间的电压差;漏极-源极...
12N10场效应管的工作原理源自其独特的场效应结构。当在栅极上施加一定电压时，形成的电场调控了漏极和源极之间的电流。这通过改变栅极电场来控制导电性，实现了对电流的高度精准的调控。12N10的工作原理在场效应管中独具特色，其高度灵活的电流控制使其在电子领域中表现卓越。2. 实际应用场景 电源开关系统12N10场效应...
CMD12N10是一款N沟道功率MOSFET,具有高电压和电流承载能力。主要参数包括额定电压为100V,额定电流为18A,RDS(ON)为115mΩ @ 10V,121mΩ @ 4.5V,门源电压范围为±20V,门源阈值电压为1.6V,封装类型为TO252。应用领域:CMD12N10(VBE1101M)适用于多种领域和应用场景,主要用于需要N沟道功率MOSFET的高电压和大电流...
首先，让我们来探讨SL12N10 MOS管在电池管理中的应用。电池作为移动设备的主要能源供应者，其管理效率直接影响到设备的使用时间和性能。SL12N10 MOS管以其低导通电阻和较低的阈值电压，有效地减少了电池充放电过程中的能量损耗，提高了能源利用率。同时，其出色的开关性能使得电池管理更加精准和高效，确保了设备的稳定...